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  • <em>光刻</em>概況及<em>光刻</em>前沿技術(shù)探討——<em>光刻</em>膠的研究.pdf91

    <em>光刻</em>概況及<em>光刻</em>前沿技術(shù)探討——<em>光刻</em>膠的研究.pdf 光刻概況及光刻前沿技術(shù)探討——光刻膠的研究.pdf(91頁(yè))

    光刻在半導(dǎo)體集成電路制造工藝中,無(wú)論是從占用的資金、技術(shù)還是人員來(lái)看,都有舉足輕重的地位。光刻工藝的發(fā)展歷史就是集成電路的發(fā)展歷史,光刻技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀就是集成電路的發(fā)展現(xiàn)狀,不論是最低端的,還是今天最為先進(jìn)的集成電路制造,光刻技術(shù)水平始終決定著集...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 玩家 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-10 / 10人氣

  • 亞波長(zhǎng)分辨<em>光刻</em>介質(zhì)特性與<em>光刻</em>方法研究.pdf128

    亞波長(zhǎng)分辨<em>光刻</em>介質(zhì)特性與<em>光刻</em>方法研究.pdf 亞波長(zhǎng)分辨光刻介質(zhì)特性與光刻方法研究.pdf(128頁(yè))

    光刻技術(shù)是集成電路小型化以及研究微觀量子世界的重要基礎(chǔ)之一,它已成為當(dāng)今科學(xué)技術(shù)制備微電子器件、光電子器件的關(guān)鍵技術(shù)?,F(xiàn)有的亞波長(zhǎng)光刻技術(shù)存在著諸如設(shè)備昂貴、工藝復(fù)雜、產(chǎn)出低等限制。本論文以亞波長(zhǎng)分辨光刻介質(zhì)及光刻方法為研究主線。主要開展了365NMLE...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 釋懷過(guò)去 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-10 / 20人氣

  • 投影<em>光刻</em>調(diào)焦及DMD無(wú)掩模<em>光刻</em>成像研究.pdf58

    投影<em>光刻</em>調(diào)焦及DMD無(wú)掩模<em>光刻</em>成像研究.pdf 投影光刻調(diào)焦及DMD無(wú)掩模光刻成像研究.pdf(58頁(yè))

    光刻工藝中,光刻物鏡的焦深往往只有幾微米到幾十微米左右,尋找焦面并非一件輕而易舉的事,若焦面未找準(zhǔn),會(huì)導(dǎo)致光刻圖形模糊不清,嚴(yán)重影響曝光質(zhì)量。因而,研究合理的調(diào)焦技術(shù)對(duì)于光刻工藝是十分重要的另外,隨著光刻圖形特征尺寸越來(lái)越小,掩模板的制作難度越來(lái)...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 吟嘯 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-10 / 13人氣

  • <em>光刻</em>膠講義13

    <em>光刻</em>膠講義 光刻膠講義(13頁(yè))

    電科0901鄭宏亮200903440129,光刻膠,簡(jiǎn)介,光刻膠又稱光致抗蝕劑PHOTORESIST,是利用光化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移的媒體,它是一類品種繁多、性能各異,應(yīng)用極為廣泛的精細(xì)化學(xué)品。電子工業(yè)的發(fā)展與光刻膠的發(fā)展是密切相關(guān)的。光刻膠的發(fā)展為電子工業(yè)提供了產(chǎn)業(yè)化的基礎(chǔ),而電...

    下載價(jià)格:4 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間:2024-01-07 / 13人氣

  • <em>光刻</em>工藝1238

    <em>光刻</em>工藝123 光刻工藝123(8頁(yè))

    集成電路制造工藝1光刻工藝光刻工藝陳瓊(陜西國(guó)防工業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院應(yīng)用電子技術(shù)電子3084班,西安市710300)摘要摘要光刻工藝是半導(dǎo)體制造中最為重要的工藝步驟之一。主要作用是將掩膜板上的圖形復(fù)制到硅片上,為下一步進(jìn)行刻蝕或者離子注入工序做好準(zhǔn)備。光刻的成本...

    下載價(jià)格:6 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-08 / 24人氣

  • 利用相移<em>光刻</em>掩膜版監(jiān)測(cè)<em>光刻</em>機(jī)臺(tái)焦距.pdf51

    利用相移<em>光刻</em>掩膜版監(jiān)測(cè)<em>光刻</em>機(jī)臺(tái)焦距.pdf 利用相移光刻掩膜版監(jiān)測(cè)光刻機(jī)臺(tái)焦距.pdf(51頁(yè))

    集成電路產(chǎn)業(yè)一直向著集成度越來(lái)越高關(guān)鍵尺寸越來(lái)越小的方向發(fā)展。將光刻部分的線寬做到更小的關(guān)鍵就是分辨率R值的降低這會(huì)導(dǎo)致聚焦深度DOF減小隨著DOF越來(lái)越小就對(duì)現(xiàn)在的光刻工藝制程中焦距的穩(wěn)定性提出越來(lái)越高的要求所以對(duì)光刻機(jī)臺(tái)焦距的監(jiān)測(cè)精度和穩(wěn)定度要求越來(lái)...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: carpediem / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-11 / 34人氣

  • 激光干涉<em>光刻</em>技術(shù).pdf129

    激光干涉<em>光刻</em>技術(shù).pdf 激光干涉光刻技術(shù).pdf(129頁(yè))

    該論文基于光的干涉和衍射及光學(xué)全息照相理論綜合評(píng)述了光學(xué)光刻的基本原理、主要類型、發(fā)展趨勢(shì)及開展激光無(wú)掩模干涉光刻和全息光刻研究的目的和意義深入研究了無(wú)掩模激光干涉光刻技術(shù)用于高分辨、大視場(chǎng)、深亞微米和納米圖形生成的基本原理、理論、主要類型和實(shí)現(xiàn)...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 我少了溫度 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-13 / 13人氣

  • 極紫外<em>光刻</em>掩模熱變形及其對(duì)<em>光刻</em>性能的影響.pdf79

    極紫外<em>光刻</em>掩模熱變形及其對(duì)<em>光刻</em>性能的影響.pdf 極紫外光刻掩模熱變形及其對(duì)光刻性能的影響.pdf(79頁(yè))

    極紫外光刻是實(shí)現(xiàn)45NM及其以下節(jié)點(diǎn)的主要候選技術(shù)之一,隨著圖形特征尺寸逐漸減小,曝光過(guò)程中掩模熱變形對(duì)光刻性能的影響越來(lái)越嚴(yán)重。因此,全面分析曝光過(guò)程中掩模熱變形并研究其對(duì)光刻性能的影響是非常有意義的。本文針對(duì)產(chǎn)量為81片小時(shí)的極紫外光刻系統(tǒng),使用有...

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  • 接近式<em>光刻</em>仿真研究.pdf121

    接近式<em>光刻</em>仿真研究.pdf 接近式光刻仿真研究.pdf(121頁(yè))

    UVLIGA技術(shù)用紫外光源代替同步輻射X光,從而以較為低廉的價(jià)格獲得較大深寬比的微結(jié)構(gòu),是一項(xiàng)極具發(fā)展?jié)摿Φ奈C(jī)械加工技術(shù)。紫外光的衍射效應(yīng)同時(shí)也造成了光刻圖形的失真,影響了其加工精度的提高,這使得它的實(shí)用性受到了一定的影響。為了獲得高精度的光刻膠微結(jié)構(gòu)...

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  • 化學(xué)增幅<em>光刻</em>膠及其在電子束<em>光刻</em>中的應(yīng)用.pdf44

    化學(xué)增幅<em>光刻</em>膠及其在電子束<em>光刻</em>中的應(yīng)用.pdf 化學(xué)增幅光刻膠及其在電子束光刻中的應(yīng)用.pdf(44頁(yè))

    本文通過(guò)沉淀聚合合成了聚甲基丙烯酸CO甲基丙烯酸甲酯CO甲基丙烯酸叔丁酯CO甲基丙烯酸異冰片酯四元共聚物,合成了光產(chǎn)酸劑二苯碘三氟甲基磺酸鹽,在凈化室中以聚甲基丙烯酸CO甲基丙烯酸甲酯CO甲基丙烯酸叔丁酯CO甲基丙烯酸異冰片酯四元共聚物為主體樹脂,以二苯碘三...

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  • 基于Mg-Cu-Y金屬玻璃薄膜的相變<em>光刻</em>及其<em>光刻</em>機(jī)理研究.pdf134

    基于Mg-Cu-Y金屬玻璃薄膜的相變<em>光刻</em>及其<em>光刻</em>機(jī)理研究.pdf 基于Mg-Cu-Y金屬玻璃薄膜的相變光刻及其光刻機(jī)理研究.pdf(134頁(yè))

    相變光刻(PCL)被認(rèn)為是最有潛力的下一代主流光刻技術(shù)之一,目前用于PCL的光致抗蝕劑多為硫系化合物相變材料,其較低的刻蝕選擇比制約了PCL的發(fā)展。金屬玻璃材料由于優(yōu)異的物理特性,在科學(xué)研究和工業(yè)生產(chǎn)上得到了廣泛的關(guān)注。本文提出了“金屬光刻膠”的概念,并基...

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  • SU-8膠<em>光刻</em>模擬.pdf76

    SU-8膠<em>光刻</em>模擬.pdf SU-8膠光刻模擬.pdf(76頁(yè))

    采用SU8膠的UV光刻技術(shù)是制造MEMS的重要微細(xì)加工技術(shù)之一。SU8膠克服了普通光刻膠深寬比不足的問(wèn)題同時(shí)也克服了LIGA技術(shù)中X射線光源極為昂貴的問(wèn)題適合于制造超厚、高深寬比MEMS微結(jié)構(gòu)。近幾年基于SU8膠的傾斜UV光刻技術(shù)也得到了飛速發(fā)展。通過(guò)傾斜掩模版和光刻膠平...

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  • <em>光刻</em>膠制備工藝技術(shù)4

    <em>光刻</em>膠制備工藝技術(shù) 光刻膠制備工藝技術(shù)(4頁(yè))

    1011414901光刻膠用剝離液組合物2021282196光刻膠用剝離液和使用該剝離液的光刻膠剝離方法3021422796光刻膠用剝離液和使用該剝離液的光刻膠剝離方法4021316244反射防止膜的光學(xué)常數(shù)的決定方法和光刻膠圖形的形成方法5021422192光刻膠組合物6021482330光刻膠組合物700...

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  • 脈沖激光曝光SU-8<em>光刻</em>膠的基礎(chǔ)與<em>光刻</em>技術(shù)研究.pdf64

    脈沖激光曝光SU-8<em>光刻</em>膠的基礎(chǔ)與<em>光刻</em>技術(shù)研究.pdf 脈沖激光曝光SU-8光刻膠的基礎(chǔ)與光刻技術(shù)研究.pdf(64頁(yè))

    準(zhǔn)LIGA技術(shù)由于其成本低、加工過(guò)程簡(jiǎn)便而倍受微加工制造行業(yè)的高度關(guān)注。本論文利用激光的高方向性和脈沖的可控性分別采用NDYAG二倍頻532NM、三倍頻355NM脈沖激光對(duì)SU8膠進(jìn)行曝光實(shí)驗(yàn)研究高深寬比、曝光精確可控的LASERLIGA新技術(shù)主要內(nèi)容包括兩種不同波長(zhǎng)的脈沖激光...

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  • 無(wú)掩模<em>光刻</em>系統(tǒng)研究.pdf45

    無(wú)掩模<em>光刻</em>系統(tǒng)研究.pdf 無(wú)掩模光刻系統(tǒng)研究.pdf(45頁(yè))

    本論文所提出的微尖端陣列無(wú)掩模光刻系統(tǒng)擴(kuò)展了納米加工的手段,是未來(lái)光刻技術(shù)發(fā)展的一種趨勢(shì)。通過(guò)對(duì)本系統(tǒng)的研究,無(wú)需掩模,微尖端的發(fā)射電流就可直接曝光光刻膠,進(jìn)行圖形生成及加工,還通過(guò)陣列并行直寫大大提高了工作效率。取得的主要研究成果如下1,設(shè)計(jì)并制...

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  • <em>光刻</em>規(guī)則物理驗(yàn)證工具實(shí)現(xiàn).pdf69

    <em>光刻</em>規(guī)則物理驗(yàn)證工具實(shí)現(xiàn).pdf 光刻規(guī)則物理驗(yàn)證工具實(shí)現(xiàn).pdf(69頁(yè))

    隨著IC制造技術(shù)的迅猛發(fā)展,芯片的特征尺寸不斷的縮小,越來(lái)越多的分辨率提高技術(shù)RET被用于研磨版的制造,這些技術(shù)大大提高了研磨版的復(fù)雜度,也增加了版圖物理驗(yàn)證的難度,在65NM及更先進(jìn)的工藝中,傳統(tǒng)的物理驗(yàn)證規(guī)則已經(jīng)無(wú)法保證最終的良率。因此,在整個(gè)設(shè)計(jì)流程...

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  • 厚膠<em>光刻</em>技術(shù)研究.pdf92

    厚膠<em>光刻</em>技術(shù)研究.pdf 厚膠光刻技術(shù)研究.pdf(92頁(yè))

    光在膠內(nèi)的衍射或散射是影響厚膠光刻質(zhì)量的一個(gè)重要原因該文基于基爾霍夫標(biāo)量衍射理論和衍射角譜理論建立了可較為真實(shí)地描述接觸式接近式光刻中厚膠光場(chǎng)分布的有效方法分析了掩膜的線寬、掩膜到抗蝕劑表面的距離以及抗蝕劑的厚度對(duì)光場(chǎng)分布的影響曝光過(guò)程抗蝕劑內(nèi)所...

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  • 厚膠光學(xué)<em>光刻</em>技術(shù)研究.pdf141

    厚膠光學(xué)<em>光刻</em>技術(shù)研究.pdf 厚膠光學(xué)光刻技術(shù)研究.pdf(141頁(yè))

    厚膠光學(xué)光刻具有工藝相對(duì)簡(jiǎn)單、與現(xiàn)有IC工藝流程兼容性好、制作成本低等優(yōu)點(diǎn),是用來(lái)制作大深度微光學(xué)、微機(jī)械、微流道結(jié)構(gòu)元件的一種很重要的方法和手段,具有廣闊的應(yīng)用前景,因而是微細(xì)加工技術(shù)研究中十分活躍的領(lǐng)域。厚膠光刻是一個(gè)多參量的動(dòng)態(tài)變化過(guò)程,多種...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 時(shí)人 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-10 / 6人氣

  • SLM無(wú)掩模<em>光刻</em>技術(shù)的研究.pdf207

    SLM無(wú)掩模<em>光刻</em>技術(shù)的研究.pdf SLM無(wú)掩模光刻技術(shù)的研究.pdf(207頁(yè))

    近年來(lái),空間光調(diào)制器SLM無(wú)掩模光刻技術(shù)受到微電子及相關(guān)領(lǐng)域的廣泛關(guān)注。SLM作為無(wú)掩模光學(xué)光刻系統(tǒng)的圖形發(fā)生器,可便捷、靈活、并行、低成本和高速地產(chǎn)生曝光圖形,在小批量高精度掩模制作和微光學(xué)器件生產(chǎn)中發(fā)揮了重要作用,在高分辨集成電路制作上也表現(xiàn)出極其...

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  • <em>光刻</em>機(jī)精細(xì)對(duì)準(zhǔn)方法研究.pdf68

    <em>光刻</em>機(jī)精細(xì)對(duì)準(zhǔn)方法研究.pdf 光刻機(jī)精細(xì)對(duì)準(zhǔn)方法研究.pdf(68頁(yè))

    集成電路的密集程度和性能指標(biāo)按摩爾定律MOSLAW成幾何級(jí)數(shù)快速增長(zhǎng),它強(qiáng)力推動(dòng)著整個(gè)IT行業(yè)的高速發(fā)展。光刻技術(shù)在集成電路中有著舉足輕重的作用,是集成電路工業(yè)的“頂梁柱”,是近代信息技術(shù)中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。光刻技術(shù)中有三大核心技術(shù),其中掩模硅片對(duì)準(zhǔn)是光刻...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 忘川惡鬼 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-10 / 7人氣

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