光刻在半導(dǎo)體集成電路制造工藝中，無(wú)論是從占用的資金、技術(shù)還是人員來(lái)看，都有舉足輕重的地位。光刻工藝的發(fā)展歷史就是集成電路的發(fā)展歷史，光刻技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀就是集成電路的發(fā)展現(xiàn)狀，不論是最低端的，還是今天最為先進(jìn)的集成電路制造，光刻技術(shù)水平始終決定著集...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 玩家 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 10人氣
光刻技術(shù)是集成電路小型化以及研究微觀量子世界的重要基礎(chǔ)之一，它已成為當(dāng)今科學(xué)技術(shù)制備微電子器件、光電子器件的關(guān)鍵技術(shù)?，F(xiàn)有的亞波長(zhǎng)光刻技術(shù)存在著諸如設(shè)備昂貴、工藝復(fù)雜、產(chǎn)出低等限制。本論文以亞波長(zhǎng)分辨光刻介質(zhì)及光刻方法為研究主線。主要開(kāi)展了365NMLE...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 釋懷過(guò)去 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 20人氣
光刻工藝中，光刻物鏡的焦深往往只有幾微米到幾十微米左右，尋找焦面并非一件輕而易舉的事，若焦面未找準(zhǔn)，會(huì)導(dǎo)致光刻圖形模糊不清，嚴(yán)重影響曝光質(zhì)量。因而，研究合理的調(diào)焦技術(shù)對(duì)于光刻工藝是十分重要的另外，隨著光刻圖形特征尺寸越來(lái)越小，掩模板的制作難度越來(lái)...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 吟嘯 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 13人氣
電科0901鄭宏亮200903440129,光刻膠,簡(jiǎn)介,光刻膠又稱光致抗蝕劑PHOTORESIST,是利用光化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移的媒體,它是一類品種繁多、性能各異,應(yīng)用極為廣泛的精細(xì)化學(xué)品。電子工業(yè)的發(fā)展與光刻膠的發(fā)展是密切相關(guān)的。光刻膠的發(fā)展為電子工業(yè)提供了產(chǎn)業(yè)化的基礎(chǔ),而電...
下載價(jià)格：4 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間：2024-01-07 / 13人氣
集成電路制造工藝1光刻工藝光刻工藝陳瓊（陜西國(guó)防工業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院應(yīng)用電子技術(shù)電子3084班，西安市710300）摘要摘要光刻工藝是半導(dǎo)體制造中最為重要的工藝步驟之一。主要作用是將掩膜板上的圖形復(fù)制到硅片上，為下一步進(jìn)行刻蝕或者離子注入工序做好準(zhǔn)備。光刻的成本...
下載價(jià)格：6 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-08 / 24人氣
集成電路產(chǎn)業(yè)一直向著集成度越來(lái)越高關(guān)鍵尺寸越來(lái)越小的方向發(fā)展。將光刻部分的線寬做到更小的關(guān)鍵就是分辨率R值的降低這會(huì)導(dǎo)致聚焦深度DOF減小隨著DOF越來(lái)越小就對(duì)現(xiàn)在的光刻工藝制程中焦距的穩(wěn)定性提出越來(lái)越高的要求所以對(duì)光刻機(jī)臺(tái)焦距的監(jiān)測(cè)精度和穩(wěn)定度要求越來(lái)...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： carpediem / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-11 / 34人氣
該論文基于光的干涉和衍射及光學(xué)全息照相理論綜合評(píng)述了光學(xué)光刻的基本原理、主要類型、發(fā)展趨勢(shì)及開(kāi)展激光無(wú)掩模干涉光刻和全息光刻研究的目的和意義深入研究了無(wú)掩模激光干涉光刻技術(shù)用于高分辨、大視場(chǎng)、深亞微米和納米圖形生成的基本原理、理論、主要類型和實(shí)現(xiàn)...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 我少了溫度 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-13 / 13人氣
極紫外光刻是實(shí)現(xiàn)45NM及其以下節(jié)點(diǎn)的主要候選技術(shù)之一，隨著圖形特征尺寸逐漸減小，曝光過(guò)程中掩模熱變形對(duì)光刻性能的影響越來(lái)越嚴(yán)重。因此，全面分析曝光過(guò)程中掩模熱變形并研究其對(duì)光刻性能的影響是非常有意義的。本文針對(duì)產(chǎn)量為81片小時(shí)的極紫外光刻系統(tǒng)，使用有...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 溫情 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-13 / 11人氣
UVLIGA技術(shù)用紫外光源代替同步輻射X光，從而以較為低廉的價(jià)格獲得較大深寬比的微結(jié)構(gòu)，是一項(xiàng)極具發(fā)展?jié)摿Φ奈C(jī)械加工技術(shù)。紫外光的衍射效應(yīng)同時(shí)也造成了光刻圖形的失真，影響了其加工精度的提高，這使得它的實(shí)用性受到了一定的影響。為了獲得高精度的光刻膠微結(jié)構(gòu)...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 姐很拽不要愛(ài)哥很壞埋了愛(ài) / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 11人氣
本文通過(guò)沉淀聚合合成了聚甲基丙烯酸CO甲基丙烯酸甲酯CO甲基丙烯酸叔丁酯CO甲基丙烯酸異冰片酯四元共聚物，合成了光產(chǎn)酸劑二苯碘三氟甲基磺酸鹽，在凈化室中以聚甲基丙烯酸CO甲基丙烯酸甲酯CO甲基丙烯酸叔丁酯CO甲基丙烯酸異冰片酯四元共聚物為主體樹(shù)脂，以二苯碘三...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 騙自己 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-11 / 13人氣
相變光刻（PCL）被認(rèn)為是最有潛力的下一代主流光刻技術(shù)之一，目前用于PCL的光致抗蝕劑多為硫系化合物相變材料，其較低的刻蝕選擇比制約了PCL的發(fā)展。金屬玻璃材料由于優(yōu)異的物理特性，在科學(xué)研究和工業(yè)生產(chǎn)上得到了廣泛的關(guān)注。本文提出了“金屬光刻膠”的概念，并基...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 你的臉龐 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-05 / 5人氣
采用SU8膠的UV光刻技術(shù)是制造MEMS的重要微細(xì)加工技術(shù)之一。SU8膠克服了普通光刻膠深寬比不足的問(wèn)題同時(shí)也克服了LIGA技術(shù)中X射線光源極為昂貴的問(wèn)題適合于制造超厚、高深寬比MEMS微結(jié)構(gòu)。近幾年基于SU8膠的傾斜UV光刻技術(shù)也得到了飛速發(fā)展。通過(guò)傾斜掩模版和光刻膠平...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 兩盞淡酒 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 7人氣
1011414901光刻膠用剝離液組合物2021282196光刻膠用剝離液和使用該剝離液的光刻膠剝離方法3021422796光刻膠用剝離液和使用該剝離液的光刻膠剝離方法4021316244反射防止膜的光學(xué)常數(shù)的決定方法和光刻膠圖形的形成方法5021422192光刻膠組合物6021482330光刻膠組合物700...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-12 / 23人氣
準(zhǔn)LIGA技術(shù)由于其成本低、加工過(guò)程簡(jiǎn)便而倍受微加工制造行業(yè)的高度關(guān)注。本論文利用激光的高方向性和脈沖的可控性分別采用NDYAG二倍頻532NM、三倍頻355NM脈沖激光對(duì)SU8膠進(jìn)行曝光實(shí)驗(yàn)研究高深寬比、曝光精確可控的LASERLIGA新技術(shù)主要內(nèi)容包括兩種不同波長(zhǎng)的脈沖激光...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 靜豈懶者徒 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 8人氣
本論文所提出的微尖端陣列無(wú)掩模光刻系統(tǒng)擴(kuò)展了納米加工的手段，是未來(lái)光刻技術(shù)發(fā)展的一種趨勢(shì)。通過(guò)對(duì)本系統(tǒng)的研究，無(wú)需掩模，微尖端的發(fā)射電流就可直接曝光光刻膠，進(jìn)行圖形生成及加工，還通過(guò)陣列并行直寫大大提高了工作效率。取得的主要研究成果如下1，設(shè)計(jì)并制...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 背影都可愛(ài) / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 9人氣
隨著IC制造技術(shù)的迅猛發(fā)展，芯片的特征尺寸不斷的縮小，越來(lái)越多的分辨率提高技術(shù)RET被用于研磨版的制造，這些技術(shù)大大提高了研磨版的復(fù)雜度，也增加了版圖物理驗(yàn)證的難度，在65NM及更先進(jìn)的工藝中，傳統(tǒng)的物理驗(yàn)證規(guī)則已經(jīng)無(wú)法保證最終的良率。因此，在整個(gè)設(shè)計(jì)流程...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 癡醋 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 4人氣
光在膠內(nèi)的衍射或散射是影響厚膠光刻質(zhì)量的一個(gè)重要原因該文基于基爾霍夫標(biāo)量衍射理論和衍射角譜理論建立了可較為真實(shí)地描述接觸式接近式光刻中厚膠光場(chǎng)分布的有效方法分析了掩膜的線寬、掩膜到抗蝕劑表面的距離以及抗蝕劑的厚度對(duì)光場(chǎng)分布的影響曝光過(guò)程抗蝕劑內(nèi)所...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 妖媚 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 4人氣
厚膠光學(xué)光刻具有工藝相對(duì)簡(jiǎn)單、與現(xiàn)有IC工藝流程兼容性好、制作成本低等優(yōu)點(diǎn)，是用來(lái)制作大深度微光學(xué)、微機(jī)械、微流道結(jié)構(gòu)元件的一種很重要的方法和手段，具有廣闊的應(yīng)用前景，因而是微細(xì)加工技術(shù)研究中十分活躍的領(lǐng)域。厚膠光刻是一個(gè)多參量的動(dòng)態(tài)變化過(guò)程，多種...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 時(shí)人 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 6人氣
近年來(lái)，空間光調(diào)制器SLM無(wú)掩模光刻技術(shù)受到微電子及相關(guān)領(lǐng)域的廣泛關(guān)注。SLM作為無(wú)掩模光學(xué)光刻系統(tǒng)的圖形發(fā)生器，可便捷、靈活、并行、低成本和高速地產(chǎn)生曝光圖形，在小批量高精度掩模制作和微光學(xué)器件生產(chǎn)中發(fā)揮了重要作用，在高分辨集成電路制作上也表現(xiàn)出極其...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 燈影 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 6人氣
集成電路的密集程度和性能指標(biāo)按摩爾定律MOSLAW成幾何級(jí)數(shù)快速增長(zhǎng)，它強(qiáng)力推動(dòng)著整個(gè)IT行業(yè)的高速發(fā)展。光刻技術(shù)在集成電路中有著舉足輕重的作用，是集成電路工業(yè)的“頂梁柱”，是近代信息技術(shù)中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。光刻技術(shù)中有三大核心技術(shù)，其中掩模硅片對(duì)準(zhǔn)是光刻...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 忘川惡鬼 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 7人氣
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