選擇性注意和工作記憶負荷對沖突加工影響的事件相關電位研究.pdf

1、目的：通過視覺事件相關電位技術，研究選擇性注意和工作記憶負荷與沖突系統(tǒng)之間的相關性，并探討沖突加工的機制。
　　方法：采用S1-S2模式和跨通道模式，選取24名正常視功能被試者進行實驗，視覺刺激中含有三種不同大小的圖片，對應三種記憶的負荷。根據實驗要求的不同將被試者分為視覺注意和視覺非注意兩組，并分別同時記錄其ERP結果。
　　結果：（1）N1時間窗內主要有頭皮后部-顳枕區(qū)的激活，N1的潛伏期在不同注意條件和工作記憶負荷下均

2、無統(tǒng)計學差異。
　　（2）N1成分在視覺非注意條件下，三種工作記憶負荷水平的沖突狀態(tài)與匹配狀態(tài)在160-240ms范圍內均未發(fā)現(xiàn)統(tǒng)計學差異。
　?。?）視覺注意條件下，三種工作記憶負荷水平的沖突狀態(tài)在160-204ms內引起了N1d（沖突狀態(tài)減去匹配狀態(tài)）成分。且高度記憶負荷下N1d的平均振幅低于低度記憶負荷和中度記憶負荷（p<0.05），而中度與低度記憶負荷振幅卻沒有呈現(xiàn)出差異。
　　（4）不同注意條件和工作記憶負荷

3、下的N270激活區(qū)域位于前額和中央區(qū)，在不同注意條件下分布不同。視覺注意組：低度記憶負荷（F3、F4、C3電極），中度記憶負荷（F3、C4電極）；視覺非注意組：低度記憶負荷（F3、F4電極），中度記憶負荷（F3電極）。
　?。?）比較N270（沖突狀態(tài)減去匹配狀態(tài)）發(fā)現(xiàn)，高度記憶負荷下N270的平均振幅低于低度記憶負荷和中度記憶負荷（p<0.05），統(tǒng)計學上中度與低度記憶負荷的振幅無差異。
　?。?）視覺注意組和視覺非注意組