α-C-F薄膜的沉積、結(jié)構(gòu)與介電性質(zhì)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、該文用微波電子回旋共振(ECR)等離子體化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)和CHF<,3>、C<,6>H<,6>源氣體的新組合沉積了F/C比在0.11-0.62之間的氟化非晶碳(α-C:F)薄膜材料.重點(diǎn)研究了微波功率的變化對(duì)薄膜沉積、氣體放電和薄膜結(jié)構(gòu)的影響,初步分析了薄膜的介電色散性質(zhì)和極化機(jī)理.薄膜的介電頻率關(guān)系(f=1×10<'3>-1×10<'6>Hz)和損耗頻率關(guān)系(=1×10<'2>-1×10<'5>Hz)均服從指數(shù)規(guī)律,隨頻率的

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