硒化鎘室溫核輻射探測(cè)器的表面電極研究.pdf

1、本文在系統(tǒng)論述核核輻射與物質(zhì)的作用原理和探測(cè)器結(jié)構(gòu)特性基礎(chǔ)上，分析探測(cè)器表面電極制備工藝對(duì)CdSe核輻射探測(cè)器漏電流、極化的影響，得到如下創(chuàng)新性結(jié)果：　　241An的γ射線與CdSe單晶材料作用方式主要為光電效應(yīng)，從理論上計(jì)算出γ射線入射到CdSe材料的深度及一定偏壓下的輸出脈沖，推斷出Am241的γ射線只是在晶片表面與CdSe的原子發(fā)生光電效應(yīng)，且在一定條件下所產(chǎn)生的脈沖信號(hào)大小為毫伏級(jí)?！　∵\(yùn)用XPS光電子能譜對(duì)濕氧、干氧制備C

2、dSe晶片表面氧化層的成分進(jìn)行分析發(fā)現(xiàn)，濕氧鈍化后CdSe(110)表面上形成化合物為SeOx(x＜1)，SeO2、Cd(OH)2和CdCO3，生成高電阻的穩(wěn)定氧化層，出現(xiàn)Se偏析現(xiàn)象，而干氧鈍化后CdSe(110)表面形成CdSe本底、過(guò)渡態(tài)SeOx(x＜1)、Cd(OH)2、以及吸附的O2、CO2、和H2O，也出現(xiàn)Se偏析現(xiàn)象。　　采用C和In兩種電極材料制備出了MSM、MIS及單面柵極結(jié)構(gòu)的CdSe室溫核核輻射探測(cè)器并進(jìn)行Ⅳ測(cè)試