快速鎖定電荷泵鎖相環(huán)研究與設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文提出了一種新的可快速鎖定的電荷泵鎖相環(huán)(Charge Pump Phase LockedLoop,CPPLL)結構,并進行了電路設計和仿真驗證。
  本文進行了CPPLL的穩(wěn)定性、鎖定時間和相位噪聲等理論分析,給出了PLL的系統(tǒng)級設計方法。主要討論了環(huán)路帶寬和鎖定時間的關系,確立了增大環(huán)路帶寬以加速鎖定的設計思路。設計中采用自頂向下的設計方法。首先,在MatlabSimulink環(huán)境下建立了快速鎖定電荷泵鎖相環(huán)模型并進行功能仿

2、真;其次,使用Verilog-A編程語言進行了快速鎖定電荷泵鎖相環(huán)的建模和仿真分析,驗證了快速鎖定結構的可行性;最后,在Cadence Virtuoso環(huán)境中進行快速鎖定電荷泵鎖相環(huán)的電路設計,使用Spectre完成電路的原理圖仿真,并進行了電路的版圖設計和后仿真。
  本文的創(chuàng)新點為新的快速鎖定電荷泵鎖相環(huán)結構。在電路實現中,此結構使用了可變電荷泵和可變帶寬環(huán)路濾波器,以實現動態(tài)環(huán)路帶寬。當鎖相環(huán)失鎖時,電荷泵電流和濾波器帶寬增

3、大,以實現快速的捕獲;在環(huán)路接近鎖定時,電荷泵電流和濾波器帶寬減小,以實現較優(yōu)的相位噪聲性能。本文還對不同的鑒頻鑒相器和電荷泵結構進行了對比,在結構選取中進行了功耗、速度和面積的折中。本文的壓控振蕩器根據gm/ID方法和MOSFETs(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistors,金屬氧化物半導體場效應晶體管)處于不同反型層進行設計,此方法減小了MOSFETs的電流,降低了電路功耗。

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