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文檔簡(jiǎn)介
1、太赫茲光子能量(0.41-41.4meV)與材料分子的低頻率振動(dòng)以及轉(zhuǎn)動(dòng)能量相匹配,太赫茲波技術(shù)為物質(zhì)的表征和操控提供了廣闊的空間。
本論文分別從納米線材料的制備與表征、單根ZnO納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備及光電性能表征和場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)太赫茲波的響應(yīng)等三方面做了研究,具體內(nèi)容如下:
(1)介紹 ZnO、InN納米材料的晶體結(jié)構(gòu)和基本性能,常見(jiàn)的制備方法,歸納和總結(jié)了國(guó)內(nèi)納米材料在微納半導(dǎo)體器件的應(yīng)用情況;
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2、2)用化學(xué)氣相沉積法制備了納米柱、納米線、納米梳、倒三腳架形納米結(jié)構(gòu)、納米陣列和未見(jiàn)報(bào)道的刺猬狀納米結(jié)構(gòu)等六種 ZnO納米材料。采用SEM、XRD、Raman和TEM等分析測(cè)試手段對(duì)其形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征,用PL譜研究了其光學(xué)特性。結(jié)果表明, ZnO納米柱和刺猬狀徑向生長(zhǎng)的納米線是六方鉛鋅礦單晶結(jié)構(gòu),生長(zhǎng)方向?yàn)閇001],(002)原子面晶格間距為0.25nm;在380nm處有由禁帶附近自由激子的復(fù)合產(chǎn)生的紫外光發(fā)射峰,在500nm處基
3、本沒(méi)有由氧空位和其它缺陷帶來(lái)的綠光發(fā)射峰。此外,重點(diǎn)研究了刺猬狀 ZnO納米結(jié)構(gòu),通過(guò)用 SEM觀察其在同一生長(zhǎng)條件不同生長(zhǎng)階段的形貌,并提出三階段生長(zhǎng)機(jī)理;刺猬狀 ZnO納米結(jié)構(gòu)核心位置的PL強(qiáng)度是徑向生長(zhǎng)納米線中間位置的2倍,是外邊緣位置的14倍;用 FDTD軟件模擬刺猬狀ZnO納米結(jié)構(gòu)的光捕獲能力,進(jìn)一步表明其中心的發(fā)光強(qiáng)度至少是外部邊緣部分的5倍以上。
?。?)在大小為1.5cm2、厚度為400μm的 P型Si的上表面覆
4、蓋一層厚為300nm的 SiO2絕緣層的襯底上制備了單根 ZnO納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管。用FESEM觀察了器件的形貌,并用PL譜和半導(dǎo)體參數(shù)分析儀研究了其光電學(xué)性能。結(jié)果表明,目標(biāo) ZnO納米線在380nm處有由禁帶附近自由激子的復(fù)合產(chǎn)生的紫外光發(fā)射峰,在500nm處基本沒(méi)有因?yàn)檠蹩瘴缓推渌毕輲?lái)的綠光發(fā)射峰;器件載流子濃度達(dá)8.1×1017m?3,遷移率為220cm2/VS,表現(xiàn)出優(yōu)異的光電學(xué)性能。
?。?)首次將單根 ZnO納
5、米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用于等離子波太赫茲探測(cè)。結(jié)果表明,室溫下,在0.3THz波激射能量800μW的情況下,器件的最大響應(yīng)值達(dá)34 mV/W;從理論上解釋了0.3THz最大響應(yīng)值在FET器件的閥值電壓出現(xiàn)的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象;探討了 THz器件的探測(cè)機(jī)理;通過(guò)計(jì)算得出最大響應(yīng)值34 mV/W時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)偏差為0.24,驗(yàn)證了器件的精確性;同時(shí)驗(yàn)證了器件的耐用性;通過(guò)對(duì)比不同遷移率的單根ZnO納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管在相同情況下的THz響應(yīng)值,得出材料的結(jié)晶性越
6、好,晶體管器件的載流子遷移率越高,太赫茲探測(cè)響應(yīng)值就越高的結(jié)論。
?。?)在60nm膠體金的催化下用化學(xué)氣相沉積法制備了InN納米線,和未見(jiàn)文獻(xiàn)報(bào)道的納米鏈以及納米葉 InN納米材料。采用 SEM、XRD、EDS和TEM等分析測(cè)試手段對(duì)其形貌、成分和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征。PL譜研究了其光學(xué)特性,在0.73eV處有由InN禁帶邊緣的紅外激射導(dǎo)致的激發(fā)峰。此外,重點(diǎn)研究了InN納米鏈結(jié)構(gòu),根據(jù) Wulff晶體堆積規(guī)則以及 BFDH晶面生長(zhǎng)
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