偶極子天線在單雙層石墨烯-復合介質襯底上的輻射特性.pdf

1、自石墨烯(Graphene)被成功制備以來，其優(yōu)異的性能吸引了全球范圍內廣泛的關注，無數(shù)基于石墨烯且性能出色的納米電子、光子器件不斷涌現(xiàn)，展現(xiàn)了石墨烯巨大的應用潛力。本文采用廣義譜域指數(shù)矩陣技術分析了赫茲偶極天線在石墨烯-介質復合結構中的輻射特性，得到不同結構下調節(jié)石墨烯參數(shù)對應的遠場方向圖。并在此基礎上，探索了將石墨烯作為天線襯底結構中的一部分，在一般的多層復雜介質襯底結構中，調節(jié)其外場參數(shù)，從而改變天線的輻射特性。
　　以下是

2、本文的主要工作和創(chuàng)新點總結:
　　首先，本文簡單介紹了石墨烯的電子結構，以及單雙層石墨烯的能帶結構，并用石墨烯的電導率模型Kubo和Drude介紹了石墨烯直流電導率以及有外場偏置的電導率，并且介紹了計算雙各向異性介質版的廣義譜域指數(shù)矩陣技術，為后面理論計算作了鋪墊。
　　其次，第三章選定廣義譜域指數(shù)矩陣技術作為本文的計算方法，引入石墨烯邊界條件，分析了偶極子激勵源在石墨烯（雙）各向異性介質復合結構接地和不接地兩種情況下的格林

3、函數(shù)，結合特殊材料鐵氧體，仿真計算了偶極子天線在石墨烯-鐵氧體介質板上的遠場方向圖，并分析了調節(jié)石墨烯外場參數(shù)對于偶極子天線的遠場影響。
　　最后，在之前研究的基礎上，把石墨烯-單層（雙）各向異性介質板擴展到多層復合結構介質板上，研究在這一結構上放置的偶極子天線的輻射特性，從而能夠應對更為一般的介質情況，計算更為復雜的情況。
　　本文旨在通過仿真計算得到在不改變石墨烯-雙各向異性襯底固有幾何結構參數(shù)條件下，僅調節(jié)對石墨烯施加