憶阻器電路的混沌現象及其混沌同步.pdf

1、記憶電阻器是具有記憶功能的非線性無源二端口器件，是繼電阻、電容和電感的第四種基本電路元器件。本文研究憶阻器電路的混沌現象及其混沌同步。
　　用憶阻器替換蔡氏對偶混沌電路的非線性元件，構造出一個基于憶阻器的蔡氏對偶振蕩電路，通過理論分析、數值模擬分析的方法，證明了該電路有豐富的混沌動力學行為;憶阻器參數取不同的初值，可以實現相軌跡從周期、混沌、收縮到定點的轉換。
　　廣義記憶元件具有更廣泛性，其包含憶阻器、憶容器和憶感器。本文

2、提出一種廣義記憶元件模型，并用數值仿真、電路設計實現的方法，實證了該模型的記憶元件特性;用該廣義記憶元件設計出一個僅包含一個非線性項的廣義記憶元件混沌電路。從理論分析、數值仿真及電路設計三個方面，證明了該電路的混沌存在性、存在復雜非線性動力學行為。
　　用單向耦合和投影同步法，實現所提出的廣義記憶元件混沌電路同步控制，數值仿真結果表明在較短時間內實現同步化目標。設計了單向耦合同步的實現電路，電路運行結果和數值分析仿真結果一致。