納米線透明導電薄膜的制備及應(yīng)用.pdf

1、納米銅線材料在光學以及電學方面具備優(yōu)良的性能，在化學、微電子器件以及生物傳感器等領(lǐng)域擁有巨大的使用價值，因而引發(fā)了人們的普遍重視。本實驗中，我們采用液相還原法，以水合肼為還原劑，乙二胺(EDA)為結(jié)構(gòu)導向劑制備了銅納米線，通過進行一系列正交實驗，探究了各實驗因素對納米銅線的影響，并且通過掃描電鏡、透射電鏡、X射線衍射等測試手段對納米銅線進行了表征。
　　實驗結(jié)果表明:采用液相還原法制備出的納米銅線未被氧化，在(111)方向上，納米

2、銅線體現(xiàn)出顯著的擇優(yōu)取向生長;影響其長度和直徑的實驗因素排序是:N2H4·H2O—NaOH—EDA—反應(yīng)溫度。綜合考慮各因素，制備納米銅線的最佳條件為4mLEDA、50mLNaOH、10mL1％的N2H4· H2O、10mL10％的N2H4·H2O、80℃、1小時。通過實驗制得的最優(yōu)納米銅線長度在25μm左右，直徑在150nm左右。
　　目前，柔性的納米銀線透明導電薄膜由于具有導電性能良好、透光率高、耐彎折度高等優(yōu)良性能，因此被視

3、為替代ITO薄膜的理想產(chǎn)品。本實驗中，我們采取簡便易行的刮涂法制備了以PET為基底的柔性納米銀線透明導電薄膜。通過SEM、XRD、UV-Vis、四探針測試儀對薄膜進行了性能的表征，通過正交實驗探究了各個實驗條件對薄膜性能的影響，從而得到優(yōu)化條件。
　　實驗結(jié)果表明，制備的納米銀線透明導電薄膜耐彎折性能較好，且導電層與基底層的粘附性好，納米銀線層具有較高的本體強度;刮刀厚度對薄膜的電阻及透光率的影響作用都非常大，熱壓的溫度、壓力以及

4、時間也會對薄膜電阻產(chǎn)生影響，但它們對于透光率的影響作用非常的小;刮涂法制備出的最優(yōu)的納米銀線透明導電薄膜的阻值是22Ω/□，透光率達到75％。優(yōu)化條件為:溫度110℃，壓力0.2MPa，時間10min，刮刀厚度150μm。
　　在制備納米銀線薄膜的基礎(chǔ)上，我們采用光固化和刮涂法結(jié)合，制備了納米銀線叉指電極，希望能夠用它來替代ITO叉指電極應(yīng)用于電簾除塵領(lǐng)域。并且分析了電簾除塵的機理，這對于現(xiàn)今人們重點探索的電簾除塵工藝具有很好的參