雙極型絕緣柵晶體管終端可靠性的分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、高可靠IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)器件在工業(yè)領域中有著極為廣泛的應用。終端結構是 IGBT器件不可缺少的部分,高可靠性終端設計向來是困惱IGBT設計者的一大難題。由于國內基礎薄弱,經(jīng)驗不足,高可靠性終端的設計與制造仍然還處于摸索階段,因而國產高可靠性IGBT產品還沒有真正實現(xiàn)量產。國內市場份額全部被Infineon,ABB,Mitsubishi等外國廠商壟斷。
　　為了實現(xiàn)高可靠性

2、IGBT的國產化,和國內某知名半導體代工廠合作,開發(fā)高可靠性1700V NPT-IGBT商業(yè)化產品。本文在高可靠性終端分析及設計這一方面做了大量工作。
　　1、首先對功率器件的擊穿原理做了詳細分析,并根據(jù)高可靠性的要求,進行終端選型。完成初步設計,并流片實驗。
　　2、測試初次流片樣品,并仿真分析,發(fā)現(xiàn)擊穿點位置的不合理選取是導致器件軟擊穿的主要原因,擊穿曲線蠕動是由于表面擊穿導致的,可動離子的再分布是造成高溫反偏失效的原因

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