基于砷化鎵工藝L波段混沌電路的設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、混沌具有偽隨機性、對初始條件的敏感依賴性等特性，使得混沌電路在諸多領域（如保密通信領域、傳感技術領域）得到廣泛應用。在多種混沌電路方案中，由于Colpitts混沌電路具有輸出信號頻率高、頻帶寬度寬等特點，使得Colpitts混沌電路成為混沌電路研究中的熱點。
　　 傳統(tǒng)的Colpitts混沌電路都是用分立元件搭建而成的PCB板級電路，而分立元器件的參數誤差最高達到20％以上，因此傳統(tǒng)Colpitts混沌電路很難在實際的通訊領域得

2、到廣泛應用。本文將電路元器件集成在單片Si或GaAs的基片上，用寄生參數較小的砷化鎵HBT取代傳統(tǒng)硅工藝的BJT;采用鏡像電流源做為電路的恒流源，解決現有技術利用大電感（1000nH以上）作為恒流源導致電路無法全集成問題;最后為了滿足作為混沌信號源的功率要求，在經典微波Colpitts混沌電路后面加一級功率放大器，擴大混沌電路的適用范圍。并且提出了具有寄生參數的Colpitts電路數學模型，使用微波仿真軟件Microwave offic

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