2μm雙極級聯激光器的設計與制備.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、2～5μm中紅外波段是非常重要的大氣窗口，工作于該波段的激光器在軍事和民用的許多領域都有重要的應用。本論文利用銻化物材料制備了2μmInGaAsSb/AlGaAsSb雙極級聯激光器，結合隧道結的光學、電學等特性的分析。選擇禁帶寬度較小，遂穿幾率高，且具有較高的折射率的GaSb做為輻射波長為2μm的InCmAsSb/AlGaAsSb半導體激光器的隧道結材料。并選擇Be和Te分別作為p型和n型摻雜劑，制備了高質量的GaSb隧道結，p+GaS

2、b的厚度30nm，n+GaSb的厚度為60nm。我們采用V80H全固態(tài)源分子束外延設備對GaSb隧道結，InGaAsSb/AlGaAsSb應變量子阱等材料進行了外延生長。通過X射線雙晶衍射和光致發(fā)光光譜(PL)方法研究了InGaAsSb/AlGaAsSb應變量子阱激光器外延材料的基本性質。用X射線衍射儀測得的曲線中出現了4級衛(wèi)星峰，PL譜測量發(fā)光波長達到2μm。我們在多量子阱材料研究的基礎上，利用GaSb重摻雜隧道結來實現兩個多量子阱激

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