局域鉑摻雜功率快恢復二極管的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該項目研究的領域是半導體功率開關器件,研究對象為高壓功率快恢復二極管(FRD).高壓功率快恢復二極管是功率電子技術中的關鍵元件,其性能要求為反向恢復速度快且軟度大、反向漏電小和正向壓降低等.不論是傳統(tǒng)的擴金、擴鉑、及電子輻照,還是新發(fā)展的He<'2+>、H<'+>離子注入局域壽命控制技術(ALLC)都還未很好地解決器件電特性的折衷問題.現(xiàn)有實現(xiàn)局域壽命控制技術的僅有技術是以氫離子或氦離子注入產生的局域高密度缺陷來形成局域低壽命區(qū),但該種

2、缺陷造成快恢復二極管反向漏電極大從而限制了局域壽命控制技術提高開關速度和軟度的效果.又已知摻鉑的快恢復二極管的復合中心具有較理想能級位置,反向漏電特別小,而且最新發(fā)現(xiàn)氫離子注入產生缺陷在退火中可吸取硅表面的鉑使之轉化為類似輻照感生缺陷的鉑摻雜的分布.據(jù)此,該項目提出用氫注入缺陷轉化為鉑雜質的方法在FRD中形成局域鉑摻雜的低壽命區(qū)來克服現(xiàn)有局域壽命控制技術漏電大的問題.通過試驗我們發(fā)現(xiàn)利用質子輻照的感生缺陷對鉑硅電極中鉑的汲取作用來進行壽

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