MEMS工藝優(yōu)化及其應用.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、MEMS是微機電系統(tǒng)的簡稱，是多種學科交叉融合的前沿高技術，是未來的主導產業(yè)之一，將對21世紀人類的科學技術、生產方式和生活方式產生深遠的影響。MEMS標準工藝的研究對于MEMS器件的制造有著重要的意義。MEMS標準工藝主要由工藝流程以及版圖設計規(guī)則兩部分組成。本論文基于硅基微細加工技術，按照硅基MEMS微型傳感器的器件結構，利用現有設備條件，對表面犧牲層MEMS工藝以及體硅MEMS工藝中部分關鍵技術進行工藝摸索。主要開展了以下幾方面的

2、工作：
　　 1、初步探索了表面犧牲層MEMS工藝中對在聚酰亞胺犧牲層薄膜上淀積結構層的應力及應力梯度控制。通過一系列對比試驗驗證了聚酰亞胺薄膜對于溫度的不穩(wěn)定性，為在聚酰亞胺薄膜上淀積低應力結構層提供了工藝的優(yōu)化方向。
　　 2、主要研究了MEMS體硅工藝的核心—深硅刻蝕工藝，優(yōu)化了深硅刻蝕工藝條件，得到了較好的工藝結果(幾乎垂直的側壁陡直度，小于200nm的側壁粗糙度以及切底)。
　　 在此基礎上初步優(yōu)化設計

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