亞微米互補雙極工藝關鍵器件研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、互補雙極技術憑借其高速、大電流驅動等優(yōu)勢一直受到模擬集成電路設計者的青睞。而隨著微電子技術的應用越來越廣泛，許多領域如射頻放大器、A/D 轉換器等對抗輻射能力以及信號失真度的要求也越來越嚴格，這就驅使人們在工藝上自然而然地將高頻互補雙極技術與SOI 全介質隔離工藝相結合。在國外，SOI高頻互補雙極工藝已相對成熟并且用于制造產品。但國內的發(fā)展比較落后，而且對其進行專項研究的機構并不多。
　　 本文以中國電子科技集團第24 研究所模

2、擬集成電路國家重點實驗室現有的比較穩(wěn)定的互補雙極工藝CBIP2012為基礎開展了亞微米SOI 互補雙極工藝的器件設計工作，具體內容如下：首先，在深入分析互補雙極技術及SOI工藝的理論基礎上進行了器件的建模和工藝流程設計。器件結構設計采取SOI全介質隔離，橫向盡可能縮小尺寸以減小寄生電容，縱向力求制作淺結和窄基區(qū)寬度；工藝上，根據器件模型的要求優(yōu)化工藝流程，精確設計關鍵工藝參數，如發(fā)射區(qū)離子注入條件、基區(qū)離子注入條件、退火條件等。并利用先

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