SnO2和ZnO納米材料的合成及其氣敏和光敏性能的研究.pdf

1、金屬氧化物半導體種類眾多，具有許多特殊的物理化學性質(zhì)。其中，Sn02和ZnO最具有代表性而受到最廣泛的研究，它們均具有很好的氣敏特性和優(yōu)異的光電性質(zhì)，可以用來制作氣體傳感器件和太陽能電池的光陽極。本論文主要通過不同的制備方法得到具有不同形貌和性質(zhì)的Sn02和ZnO產(chǎn)物，然后探究了它們在氣敏、染料敏化太陽能電池和光催化等領(lǐng)域的應(yīng)用。主要研究工作如下:
　　 (1)采用簡單的水輔助化學氣相沉積法，分別以純錫粉和金修飾錫粉為原料，制備

2、得到了Sn02微米帶和Sn02納米帶。我們簡單分析了兩種不同形貌Sn02的生長機制，并通過XRD、TEM、XPS等表征研究了其組成和晶體結(jié)構(gòu)。我們測試了兩種不同形貌的Sn02在染料敏化太陽能電池中的應(yīng)用，比較了二者的電子傳輸性能;同時，還探討了其在光催化降解有機染料和作為鋰電池負極材料等方面的性能和反應(yīng)機理。
　　 (2)采用電化學沉積法，以氯化亞錫為原料，溶液中的溶解氧為氧化劑，在一定的水浴溫度下，制備得到了Sn/Sn02復合

3、薄膜。通過向電解池中加入不同濃度的丁基羅丹明B(BRhB)，可以制備得到SnO2/BRhB納晶復合薄膜。我們研究了沉積電壓、SnC12濃度以及BRhB濃度等因素對Sn02薄膜的影響，通過XRD和TEM等表征了Sn02的顆粒尺寸和孔結(jié)構(gòu)。
　　 (3)采用電化學沉積法，以氯化鋅為原料，溶液中的溶解氧為氧化劑，在一定的水浴溫度下，制備得到了ZnO納晶薄膜。通過向電解池中加入不同濃度的曙紅，可以制備得到ZnO/EosinY復合薄膜。我