用于OEIC的光敏HEMT的理論探討和器件研制.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩55頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、該文探討了用于OEIC的inP基光敏HEMT的理論模擬和幾個關鍵的工藝.為了研制可用于長波長光纖通信,具有探測放大能力的OEICInP基光敏HEMT,針對目前InP基光敏HEMT的理論模擬和關鍵工藝所存在的問題,我們探索了以下幾項工作:1、考慮了HEMT靜態(tài)模型的四個部分:溝道電流(或漏源電流)表達式、2DEG(二維電子氣)面密度與柵壓的關系、載流子速度(漂移速度)與電場關系、源漏邊界條件,我們提出了新的靜態(tài)特性解析式.2、以新的靜態(tài)行

2、性解析式為基礎,應用RC傳輸線模型,并做了新的改進,我們計算了光照下高頻二維微波散射(S)參數(shù)矩陣的各個矩陣元數(shù)值.3、我們首次對光敏HEMT的光敏機理作了探索,建立了理論模型,定量計算了在穩(wěn)定光照下的I-V特性.4、應用MOCVD技術生長了符合設計要求的高質量InP基八層外延材料.5、考慮了器件隔離、光響應度等因素,設計了多種光刻版圖.6、為了得到良好的臺面構造和合適的柵槽,探索了室溫下的選擇腐蝕工藝;為了得到線條良好的柵電極,探索了

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論