Si光電負阻器件和Si-Ge異質結混合模式晶體管的模擬研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該論文進行了硅光電負阻器件的基礎研究工作,對兩種硅光電負阻器件的機理進行了探討.進行了二維器件模擬(簡稱器件模擬),對影響器件性能的主要參數(shù)進行了模擬分析,并與實驗進行了對比.建立了兩種光電負阻器件的電路模型,并進行了實驗驗證.為光電負阻器件基礎研究和應用研究打下了良好的基礎.論文圍繞著這項研究工用進行了SiGe/BiMOS的基礎研究和設計工作,進行了器件模擬,對影響器件性能的主要參數(shù)進行模擬分析,模擬為器件設計提供了有意義的指導,完成

2、版圖設計和工藝設計.用器件模擬軟件"SILVACOA"中的模擬程序"ATLAS"對光電表面控制晶體管(PNEGIT)進行了器件模擬,模擬了產(chǎn)生負阻前后的電流矢量,模擬證實了產(chǎn)生負阻的原因是柵電極下的表面復合和體復合造成的.從PNEGIT的數(shù)學模型出發(fā)建立了PNEGIT的電路模型.從電雙基區(qū)晶體管(DUBAT)的電路模型出發(fā),建立了光電雙基區(qū)晶體管PDUBAT的電路模型,用電路模型模擬了輸出特性曲線,光生電壓曲線.給出了PDUBAT和PN

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