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1、半導(dǎo)體超晶格和量子阱材料是用現(xiàn)代薄膜生長(zhǎng)技術(shù)制成的一種新型的人造材料。這種材料的周期性是按人們的要求任意改變的,因此對(duì)其中運(yùn)動(dòng)的電子、空穴附加了人為的周期勢(shì)。正是由于這一點(diǎn),使得超晶格和量子阱材料具有許多不同于天然材料的特殊性質(zhì),具有廣闊的應(yīng)用前景,因而受到半導(dǎo)體物理、材料科學(xué)、微電子學(xué)、光電子學(xué)的重視,成為這些學(xué)科中一個(gè)非常活躍的研究領(lǐng)域。 超晶格和量子阱新材料的出現(xiàn),無(wú)論在理論上,還是在實(shí)際應(yīng)用上都具有重要意義。從超晶格和量子阱的出
2、現(xiàn)到目前,對(duì)其物理性質(zhì)和微觀結(jié)構(gòu)材料的生長(zhǎng)方法研究已取得了突飛猛進(jìn)的發(fā)展。它們?cè)诠鈱W(xué)和電子學(xué)器件方面的應(yīng)用也日益廣泛。因此,這一領(lǐng)域的每一進(jìn)展都成為當(dāng)代固體物理學(xué)和固體器件領(lǐng)域最引人注目的事情。 本文回顧了近年來(lái)超晶格和量子阱材料的研究近況,報(bào)道了我們用MBE法制備GaAs/AlGaAs,對(duì)其特性進(jìn)行了研究,論文主要包括三部分。 第一章介紹了超晶格和量子阱材料的基本理論,超晶格、量子阱的概念,基本性質(zhì)。 第二章介紹了量子阱、超晶格材料的
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