石榴石磁泡膜中硬磁疇疇壁中垂直布洛赫線的穩(wěn)定性.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、1983年,Konish提出了超高密度布洛赫線存儲器(BLM)方案.BLM存儲技術采用條狀磁疇中的負布洛赫線(VBL)對作為信息的載體,以VBL對的有無來體現(xiàn)信息的"1"和"0".與磁泡存儲器相比,BLM的存儲密度大大提高.硬磁疇疇壁中垂直布洛赫線的形成及其穩(wěn)定性的研究,對布洛赫線存儲器(BLM)的研制與使用具有重要意義.本文首先采用系列脈沖"低偏場法",在兩類不同標稱成分的樣品上,研究了直流偏場、脈沖偏場以及脈沖寬度的大小對硬磁疇形成

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