通信光電子半導體材料異質兼容的理論與實驗研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文對通信光電子半導體材料異質兼容的理論與實驗進行了研究。主要內容及結果如下： 1.計算了BP、BAs、BSb的能帶結構，得到了它們高對稱點(Г，L，X)的能隙，并通過與實驗值的比較，預測了它們的能隙計算偏差，為推導含B三元系的實際能帶結構打下了基礎。 2.計算了三元系B<,x>Ga<,1-x>As和B<,x>Ga<,1-x>Sb在B小含量范圍(0％-18.75％)內的電子性質。 3.計算了十種含BZ元系的直接接

2、躍遷(X<,1-c>-Г<,15v>)能隙彎曲參數，在此基礎上，分析TBGaAsSb、BGalnAs等6種四元系與GaAs晶格匹配時的能帶結構。 4.通過插入InP/Ga<,0.1>In<,0.9>P應變層超晶格(SLS)，進一步提高了采用低溫緩沖層法生長的InP/GaAs(100)外延層晶體質量。 5.采用低溫緩沖層法并輔助SLS，在GaAs(100)襯底上生長10周期的InP/In<,0.53>Ga<,0.47>As

3、量子阱(MQW)。 6.在低溫緩沖層法生長的InP/GaAs(100)異質外延層上制備InGaAs/InP PIN探測器，其吸收層為300nm，臺面面積為50μm×50μm時，在1550nm波長處器件的響應度為0.12A/W，對應的外量子效率為9.6％，3dB帶寬達到了6GHz。 7.通過優(yōu)化低溫GaAs緩沖層的生長條件，在Si襯底上生長GaAs外延層。對于無偏角Si襯底上生長的1.8μm厚的GaAs外延層，其XRD(4

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