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認(rèn)證信息
認(rèn)證類型:個(gè)人認(rèn)證
認(rèn)證主體:常**(實(shí)名認(rèn)證)
IP屬地:河北
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1、隨著MEMS技術(shù)的發(fā)展,基于該項(xiàng)技術(shù)的金屬氧化物氣體傳感器已經(jīng)成為研究熱點(diǎn)。這類傳感器具有功耗低、易于集成等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于各種有毒有害氣體、可燃?xì)怏w、工業(yè)廢氣、環(huán)境污染氣體的檢測(cè)。SnO2是一種被廣泛使用的金屬氧化物氣敏材料,對(duì)很多氣體都有比較好的靈敏度,具有獨(dú)特的表面和界面特性,在不同溫度下其晶體表面存在不同程度的氧缺陷(Ovacancy),薄膜電導(dǎo)測(cè)試(sheetconductancemeasurement)顯示表面氧缺陷的存在
2、可以提高表面電導(dǎo)近兩個(gè)數(shù)量級(jí),因此,從實(shí)驗(yàn)和理論上研究SnO2晶體表面缺陷和吸附對(duì)表面電子結(jié)構(gòu)的影響,對(duì)進(jìn)一步提高傳感器性能具有重要的意義。 本文主要從改良傳感器性能的角度出發(fā),研究了SnO2(110)面的電子結(jié)構(gòu)和氣體分子的吸附情況。首先利用MaterialsStudio軟件建立了SnO2(110)氧化表面、部分氧化表面、還原表面和缺陷表面的模型,運(yùn)用第一性原理密度泛函理論,結(jié)合平面波贗勢(shì)和超胞的方法計(jì)算了這四種表面的幾何結(jié)構(gòu)
3、和電子結(jié)構(gòu),重點(diǎn)分析了表面橋氧空穴和面氧空穴對(duì)表面能帶結(jié)構(gòu)、態(tài)密度、原子布居和電荷密度的影響,最終總結(jié)出表面缺陷對(duì)薄膜電導(dǎo)和傳感器性能的影響。 此外本文利用MaterialsStudio軟件進(jìn)一步研究了氧氣在SnO2(110)還原表面的吸附情況,將氧分子放在還原表面五配位錫原子和四配位錫原子上方,嘗試了垂直、水平等各個(gè)擺放方向?qū)ξ降挠绊?,最終找到了三種穩(wěn)定的吸附形式,進(jìn)而分析了氧氣在SnO2(110)面的吸附對(duì)表面態(tài)密度、龜荷
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