Cu-Si(100)體系的擴散和界面反應.pdf

1、本論文利用RBS和XRD研究了在退火前后常規(guī)磁控濺射和離化團簇束沉積Cu薄膜和Si(100)襯底之間的擴散和界面反應。利用反應擴散理論及硅化物的生長理論對實驗結果進行了分析，并結合定性研究對擴散系數做了估算。 本工作得到了以下幾個有意義的結果： (1).對于磁控濺射方法沉積Cu/Si(100)體系，未退火時Cu/Si之間沒有擴散發(fā)生，當230℃退火時產生了明顯的擴散。隨著退火溫度的增加，擴散更強。未退火時，沒有銅硅化合物

2、生成。230℃退火時有Cu3Si化合物生成。隨著退火溫度的增加Cu3Si一直為主要的銅硅化合物相。Cu(200)在Si(100)襯底上呈現擇優(yōu)生長。 (2).對于中性團簇束沉積的Cu/Si(100)體系，在未退火時就出現了明顯的Cu/Si擴散。隨著退火溫度的升高，擴散越明顯。在未退火時生成了Cu3Si化合物，隨著退火溫度的增加Cu3Si相在450℃退火時消失，轉化成為Cu15Si4。 (3).對離化(Va=0kV)團簇束

3、沉積的Cu/Si(100)體系，在未退火時有擴散發(fā)生，隨著退火溫度升高，擴散變強。未退火時，有化合物Cu3Si生成；450℃退火，形成了新的化合物Cu15Si4相；500℃和600℃退火的XRD譜中Cu15Si4成為主要的Cu和Si的化合物相。 (4).離化團簇束在加速電壓為Va=1 kV和5kv沉積的Cu/Si(100)薄膜樣品，未退火時就發(fā)生了擴散，Va=3kV時沉積的樣品在退火溫度500℃時才有明顯的擴散發(fā)生。隨著退火溫度