CSS法制備CdTe薄膜的摻雜性質研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、Ⅱ-Ⅵ族半導體化合物碲化鎘(CdTe)因其具有良好的光電性質，而成為制備高效率、低成本的多晶薄膜太陽電池理想的吸收層材料。本文概述了CdTe多晶太陽能電池的發(fā)展及其應用前景，并對CdTe薄膜的不同摻雜情況作了討論研究。 本文主要部分總結了我的兩方面工作：(1)采用近距離升華(CSS)方法制備自摻雜Te的CdTe薄膜，研究富Te對CdTe薄膜性質的影響，同時對樣品進行了不同條件的退火處理，分析了退火對樣品性質的影響；(2)采用離子

2、注入技術對近距離升華方法制備的純CdTe薄膜進行Cu離子的摻雜，并對其在N<,2>氣氛下退火，討論Cu離子注入劑量及退火對薄膜性質的影響。 通過分析薄膜的結構、形貌、光吸收、光致發(fā)光等性質，我們得出如下主要結論：(1)適量摻Te改善了CdTe薄膜的結晶質量，CdTe薄膜的晶格常數(shù)變大，禁帶寬度E<,g>有略微減小，晶體中受主能級深度無變化——摻Te對CdTe薄膜的光學性質影響不大。退火有助于進一步提高薄膜結晶性，改善缺陷等引起的

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