一維CdSe納米材料的制備及光電性能研究.pdf

1、本研究首先利用氧化鋁膜板輔助電化學沉積法成功合成了直徑為200nm，長度為4~5μm的CdSe納米線。通過透射電子顯微技術（TEM）和X射線散射能譜(EDX)研究電沉積時間和電鍍液濃度對納米線形貌結構和化學成分的影響。結果表明，納米線的長度隨著反應時間延長而增加，直徑與模板孔徑保持一致；調(diào)整電鍍液中Cd2+和SeO2的濃度可以得到化學計量比接近1∶1的CdSe納米線。納米線的光致發(fā)光光譜（PL）在545nm處出現(xiàn)一個明顯的熒光發(fā)射峰，這

2、可以歸因于納米線表面的缺陷發(fā)光；結合電化學的相關理論對循環(huán)伏安法電沉積一維CdSe納米材料的機理進行了初步的分析。 通過溶劑熱法，在180℃，利用聚丙烯酰胺輔助合成了直徑約為20nm，長度為幾百納米到幾微米的CdSe納米線。通過XRD、TEM、HR-TEM表征了產(chǎn)物的的結構和形貌，并且討論了反應時間對產(chǎn)物形貌的影響以及有機溶劑和聚合物輔助納米線生長的機制。通過紫外-可見光譜和光致發(fā)光光譜研究了納米線的光學性能，在660nm處有一

3、明顯的吸收峰，與體相材料相比具有明顯的量子尺寸效應。 利用所制備的納米線，在80℃下，通過水溶液反應在一維CdSe納米材料表面生長一層粒徑為10nm左右的CdS納米顆粒，成功制備了核殼結構的CdSe/CdS納米復合材料。通過透射電子顯微照片（TEM）和X射線衍射圖譜（XRD）表征CdSe/CdS納米復合材料的形貌結構和成分組織，光致發(fā)光光譜（PL）和紫外-可見吸收光譜（UV-visable）表征納米材料的光學性能。 利用