摻雜對Ge-,2-Sb-,2-Te-,5-相變薄膜物性的影響和熱輔助磁記錄（HAMR）靜動態(tài)測試系統(tǒng)的初步研制.pdf

1、隨著信息存儲技術的迅速發(fā)展，人們希望進一步提高信息的存儲密度和存儲速度。所以，世界各地的研究者們在不斷開發(fā)新的存儲技術來滿足人們的需要。相變存儲技術及熱輔助磁記錄技術是當今世界的兩大研究熱點。據此，本論文選取了以下兩方面的內容： 一、研究摻雜多種金屬原子(主要討論了金屬Al原子)對相變存儲薄膜Ge2Sb2Te5(GST)記錄性能的影響。在室溫下，采用磁控濺射鍍膜系統(tǒng)在Si(100)基片上利用共濺射的方法制備了摻雜Al原子的GST

2、薄膜。實驗中，Al的摻雜組分的改變是通過固定Al靶的濺射功率、改變GST靶的濺射功率來實現(xiàn)的。利用x射線光電子譜(XPS)測量了Al摻雜的百分含量，用x射線衍射(XRD)來表征樣品的結構。使用可精確控溫的橢偏儀，測得了樣品在不同溫度下的光學常數，結果表明隨著Al摻雜百分含量的增加，相變溫度上升，面心立方(FCC)相變得更加穩(wěn)定，有助于改善相變光盤的使用條件及壽命。此外，摻雜Al的GST薄膜的反射對比度也明顯增加，這對提高相變光存儲讀出信

3、號的信噪比非常有利。最后，論文對摻雜其它金屬原子(Ti、Cu、Au)對GST薄膜的影響也做了相應的研究。 二、參與了國家自然科學基金重大項目“超高密度、高速光-磁混合數字信息存儲研究”(編號60490290)中的子課題《光輔助磁記錄靜態(tài)及動態(tài)測試系統(tǒng)的研制》工作，我們設計并初步搭建了一套熱輔助磁記錄測試系統(tǒng)。在該系統(tǒng)中，使用405nm波長的藍紫激光作為提供溫度場的輔助光源，采用三維納米精密移動臺來精細調節(jié)激光聚焦光斑和磁頭的相對