高純鋁及稀土鈰、釓靶材壓力加工工藝研究.pdf

1、濺射法是制備薄膜材料的主要技術之一，靶材是濺射沉積薄膜的源材料。高純鋁靶材主要運用于半導體芯片、平板顯示器產業(yè)；稀土Gd和Ce靶材主要用于磁記錄和光記錄產業(yè)。靶材產品質量要求嚴格，主要應滿足以下要求：雜質含量低，純度高；高致密度；成分與組織結構均勻；晶粒尺寸細小。
　　 高純鋁靶材主要要求晶粒度200μm～300μm，晶粒取向以(100)面織構為主；而稀土靶材主要要求為高致密度。本論文圍繞滿足上述的要求開展了對于高純鋁和稀土金屬

2、的相關實驗和研究。
　　 高純鋁采用冷軋和熱鍛的方式進行了壓力加工成型，采用恒溫鹽浴進行再結晶退火，退火后的試樣在Axiover25蔡司金相顯微鏡下進行微觀組織觀察。通過一系列退火對照實驗和微觀組織觀察，確定了最優(yōu)的壓力加工和再結晶退火工藝為：冷軋40％壓下量下，退火溫度330℃，保溫時間10min，水淬。驗證了本文所制定的實驗方案可以獲得制備晶粒度在200μm以內并且組織均勻的高純鋁板。并對其中的2個冷軋退火試樣和1個熱鍛退火

3、試樣進行了再結晶織構分析。通過ODF圖的觀察可以得到以下結論：3個高純鋁退火樣中均獲得了再結晶{100}織構。由于鋁的總變形量小，獲得的織構總體強度低。2個冷軋退火樣在45°≤ph2≤90°范圍內的織構依然具有類似形變織構的特征，但是退火溫度高的試樣中此種織構強度顯著降低；熱鍛退火樣與冷軋退火樣織構有明顯不同，總體織構強度更低。
　　 稀土Ce和Gd鑄錠采用冷軋的方式進行加工，然而稀土金屬塑性差，易氧化，加工硬化率高，難于進行壓