基于半橋諧振式開關電源的設計畢業(yè)論文

1、<p>　　學 生 畢 業(yè) 論 文</p><p>　　2012年04月19日</p><p>　課題名稱基于半橋諧振式開關電源的設計</p><p>　姓 名</p><p>　學 號</p><p>　院 系通信與電子工程學院</p><p>　專 業(yè)電子

2、信息工程</p><p>　指導教師</p><p><b>　　目 錄</b></p><p><b>　　摘 要1</b></p><p><b>　　關鍵詞1</b></p><p>　　Abstract.2</p><p

3、>　　Key word2</p><p><b>　　引言3</b></p><p>　　1. 總體設計方案及要求3</p><p>　　2. 主要電路模塊設計4</p><p>　　2.1 保護電路4</p><p>　　2.1.1 浪涌電流保護……………………………..…………

4、………………………..4</p><p>　　2.1.2 陽極電壓保護………….……………………………………………………..5</p><p>　　2.1.3 尖峰吸收保護電路……………………………………………………………5</p><p>　　2.2 無線頻率干擾(RFl)濾波器...........................................

5、...........................5</p><p>　　2.3整流濾波電路設計....................................................................................6</p><p>　　2.3.1初級橋式整流濾波電路………………………………………………………6</p>&

6、lt;p>　　2.3.2次級整流電路………………………………………………………………….7</p><p>　　2.4 PFC功率校正電路設計........ ...................................................................7</p><p>　　2.4.1 L6562引腳功能介紹…………… ……………………………

7、………………8</p><p>　　2.4.2 L6562應用電路..………… ………………………………………… ………8</p><p>　　2.5 DC/AC逆變器拓撲...................................................................................8</p><p>　　2.5

8、.1 R7731引腳功能介紹………… …………………..………………………….9</p><p>　　2.5.2 R7731應用電路………………………………………………………………9</p><p>　　2.5.3 L6599引腳功能介紹……… …………………………………………… …..9</p><p>　　2.2.4 L6599應用電路…………………………………

9、……………………..……13</p><p>　　2.6 次級三端穩(wěn)壓電路.................................................................................14</p><p>　　2.7 反饋組電路設計......................................................

10、...............................15</p><p>　　3.參考文獻……………………….……………………………………… …....16</p><p>　　4.附錄1（整體電路圖）………………………………………………… ..…...18</p><p>　　5附錄2（實物圖）………………………………………..…………………………….2

11、0</p><p>　　基于半橋諧振式開關電源的設計</p><p>　　摘 要：利用率開關電源的開關管工作在高速的通與斷兩種狀態(tài)，所以稱為開關電源，其原理是用整流電路先把交流變成直流，再用開關管把直流電變成高頻的直流電，這個高頻直流在通過開關變壓器時，在次級感應出交流電流，再通過整流濾波后，變成平穩(wěn)的直流電，同時有控制電路根據輸出電壓調整開關管的通與斷的比例（占空比）。由于開關變壓器的頻

12、率很高，同樣的功率，體積可以做的很小，所以整個電源可以做到體積小重量輕。本次設計是基于半橋諧振式開關電源，利用PWM邏輯控制器LD7535以及高壓諧振控制器L6599組成DC/AC逆變器拓撲，集反激式開關電源技術和半橋諧振式開關電源技術與一體，具有多路輸入特點，并且采用L6562PFC電路，對電源功率校正，使得電源效率大大提高到85%左右。這款電源是針對目前國內外平板電視而設計，在末端添加了邏輯時序電路，用以實現(xiàn)平板電視待機控制。本次設

13、計采用高壓諧振蕩器來產生脈沖使得電壓的輸出可以通過調節(jié)脈沖發(fā)生器的占空比來獲得不同的電壓，并且可以通過提高振蕩器的頻率使得輸出電壓穩(wěn)定，提高了開關的頻率就提高了電源效率,本設計的交流輸入電壓范圍是120V～265V，該電源能同時實現(xiàn)輸入欠壓保</p><p>　　關鍵詞：開關電源；半橋諧振；反激；LD7535；L6599;L6562；功率校正；脈寬調制</p><p>　　Half bri

14、dge resonant switching power supply Design</p><p>　　Abstract: Utilization of switch power supply switch tube in high speed of the work with broken two kinds of state, so called switch power, its principle is

15、 to use the first rectifier circuit exchange into dc, again with a switch tube into the direct current high frequency of dc, the high frequency dc in through the switch transformer, in sub sense if ac current, again thro

16、ugh the rectifier filter, into a stable of dc, and according to the output voltage control circuit switch tube and the propor</p><p>　　Key word: Switch power source; Half bridge resonance; Flyback; LD7535; L

17、6599; L6562; Power correction; Pulse width modulation;</p><p><b>　　引言：</b></p><p>　　開關電源的發(fā)展方向是高頻、高可靠、低耗、低噪聲、抗干擾和模塊化。由于開關電源輕、小、薄的關鍵技術是高頻化，因此國外各大開關電源制造商都致力于同步 開發(fā)新型高智能化的元器件，特別是改善二次整流器件的

18、損耗，并在功率鐵氧體（Mn-Zn）材料上加大科技創(chuàng)新，以提高在高頻率和較大磁通密度（Bs）下獲 得高的磁性能，而電容器的小型化也是一項關鍵技術。SMT技術的應用使得開關電源取得了長足的進展，在電路板兩面布置元器件，以確保開關電源的輕、小、薄。開關電源的高頻化就必然對傳統(tǒng)的PWM開關技術進行創(chuàng)新，實現(xiàn)ZVS、ZCS的軟開關技術已成為開關電源的主流技術，并大幅提高了開關電源工作效率。 對于高可靠性指標，美國的開關電源生產商通過降低運行電流，

19、降低結溫等措施以減少器件的應力，使得產品的的可靠性大大提高。 </p><p>　　模塊化是開關電源發(fā)展的總體趨勢，可以采用模塊化電源組成分布式電源系統(tǒng)，可以設計成N+1冗 余電源系統(tǒng)，并實現(xiàn)并聯(lián)方式的容量擴展。針對開關電源運行噪聲大這一缺點，若單獨追求高頻化其噪聲也必將隨著增大，而采用部分諧振轉換電路技術，在理論上 即可實現(xiàn)高頻化又可降低噪聲，但部分諧振轉換技術的實際應用仍存在著技術問題，故仍需在這一領域開展大

20、量的工作，以使得該項技術得以實用化。 </p><p>　　電力電子技術的不斷創(chuàng)新，使開關電源產業(yè)有著廣闊的發(fā)展前景。要加快我國開關電源產業(yè)的發(fā)展速度，就必須走技術創(chuàng)新之路，走出有中國特色的產學研聯(lián)合發(fā)展之路，為我國國民經濟的高速發(fā)展做出貢獻。</p><p><b>　　1 總體設計方案</b></p><p>　　如圖1-1-1所示，電源整

21、體電路系統(tǒng)由輸入浪涌電流及陽間電壓保護電路、無線頻率干擾(RFl)濾波器、整體橋式整流濾波電路設計、PFC功率校正電路設計、DC/AC逆變器拓撲、次級三端穩(wěn)壓電路、次級整流濾波電路、反饋組電路設計、邏輯時序電路九個部分組成。這次設計的電源應用在平板電視上，設計指標都嚴格按目前平板電視的要求來制定的。輸入電流在100V-264V之間，AC輸入電源頻率范圍在47HZ-63HZ，最大連續(xù)輸入電流小于3 A，電源效率大于80%，待機功率小于1W

22、。由于本次設計要求多路輸出，所以綜合采用了反激和半橋兩種拓撲。</p><p>　　圖1-1-1電源原理方框圖</p><p>　　2 主要電路模塊設計</p><p>　　電源整體電路系統(tǒng)由輸入浪涌電流及陽間電壓保護電路、無線頻率干擾(RFl)濾波器、整體橋式整流濾波電路設計、PFC功率校正電路設計、DC/AC逆變器拓撲、次級三端穩(wěn)壓電路、次級整流濾波電路、反饋組

23、電路設計、邏輯時序電路九個部分組成。</p><p><b>　　2.1 保護電路</b></p><p>　　2.1.1浪涌電流保護</p><p>　　隔離式開關電源在加電時，會產生極高的浪涌電流，必須在電源的輸入端采取一些限流措施，才能有效地將浪涌電流減小到允許的范圍之內。浪涌電流主要是由濾波電容充電引起的，在開關管開始導通的瞬間，電容對

24、交流呈現(xiàn)出很低的阻抗，如果不采取任何保護措施，浪涌電流可接近幾百安培。另外還要安裝保險絲。</p><p>　　通常廣泛采用的措施有兩種，一種方法是利用電阻一雙向可控硅并聯(lián)網絡；另一種方法是采用負溫度系數(shù)(NTc)的熱敏電阻。用以增加對交流線路的阻抗，把浪捅電流減小到安全值。在本次設計中我們是采用福溫熱敏電阻。</p><p>　　熱敏電阻技術：這種方法是把NTc(負溫度系數(shù))的熱敏電阻串

25、聯(lián)在交流輸入端或者串聯(lián)在經過橋式整流后的直流線上。</p><p>　　圖2-1-1是熱敏電阻的溫度系數(shù)</p><p>　　如圖2-1-1所示，a是熱敏電阻的溫度系數(shù)，用每度百分比(％／c)表示。當開關電源接通時，熱敏電阻的阻值基本上是電阻的標稱值。這樣，由于阻值較大，它就限制了浪涌電流。當電容開始充電時，充電電流流過熱敏電阻，開始對其加熱。由于熱敏電阻具有負溫度系數(shù)，隨著電阻的加熱，其

26、電阻值開始下降，如果熱敏電阻選擇得合適，在負載電流達到穩(wěn)定狀態(tài)時，其阻值應該是最小。這樣，就不會影響整個開關電源的效率。</p><p>　　2.1.2 輸入陽級電壓保護</p><p>　　在一般情況下，交流電網上的電壓為115v或230v左右，但有時也會有高壓的尖峰出現(xiàn)。比如電網附近有電感性開關，暴風雨天氣時的雷電現(xiàn)象，都是產生高尖峰的因素。受嚴重的雷電影響，電網上的高壓尖峰可達5kv

27、。</p><p>　　另一方面，電感性開關產生的電壓尖峰的能量滿足下面的公式：</p><p><b>　　W=L·I2</b></p><p>　　公式中．L是電感器的漏感，I是通過線圈的電流。</p><p>　　由此可見，雖然電壓尖峰持續(xù)的時間很短，但是它確有足夠的能量使開關電源的輸入濾波器、開關晶體管

28、等造成致命的損壞。所以必須要采取措施加以避免。</p><p>　　用在這種環(huán)境中最通用的抑制干擾器件是金局氧化物壓敏電阻(MOV)瞬態(tài)電壓抑制器。把壓敏電阻Rv連在交流電壓的輸入端。壓敏電阻起到一個可變阻抗的作用。也就是說，當高壓尖峰瞬間出現(xiàn)在壓敏電阻兩端時．它的阻抗急劇減小到一個低值，消除了尖峰電壓使輸入電壓達到安全值。瞬間的能量消耗在壓敏電阻上。圖2-1-2所示，RT901為負溫熱敏電阻，F(xiàn)901為保險絲，

29、RV901為壓敏電阻。</p><p>　　圖2-1-2電流和電壓保護電路</p><p>　　2.1.3 尖峰吸收保護電路</p><p>　　在單端反激變換電路中，當MOS管關斷瞬間，變壓器釋放能量，此時MOS漏極將會有個極高的瞬間電壓，為了保護MOS管的安全，我們加入了一個尖峰吸收電路。</p><p>　　圖2-1-3尖峰吸收電路&l

30、t;/p><p>　　如圖，當MOS管關斷，RL207就被變壓器線圈產生的自感電動勢驅動打開，尖峰電動勢變進入CB903和電阻組成的吸收電路被吸收掉。</p><p>　　2.2 無線頻率干擾(RFl)濾波器</p><p>　　在方波的上升沿和下降沿．有很多高次諧波，如果這些高次諧波反饋到輸入交流線，就會對其它電子設備產生干擾。因此，在交流輸入端，必須要設置無線頻率干

31、擾(RFl)濾波器，把高頻干擾減少到可接收的范圍。</p><p>　　圖2-2-1 無線頻率干擾濾波器</p><p>　　如圖2-2-1所示，L901、L902為共模電感，L901濾除電網中的高頻成分，防止電網中的高次諧波干擾電源，而L902剛好相反，防止電源產生的高次諧波污染電網。C901為安規(guī)電容，濾除差模干擾；C904，C903為Y電容濾除共模干擾。R901為安規(guī)電容和Y電容的放

32、電電阻。</p><p>　　2.3 整流濾波電路設計</p><p>　　2.3.1初級橋式整流濾波電路</p><p>　　橋式整流電路是常見的整流濾波電路，橋式整流器利用四個二極管，兩兩對接。輸入正弦波的正半部分是兩只管導通，得到正的輸出；輸入正弦波的負半部分時，另兩只管導通，由于這兩只管是反接的，所以輸出還是得到正弦波的正半部分。 橋式整流器對輸入正弦波的利

33、用效率比半波整流高一倍。</p><p>　　圖2-3-1橋式整流濾波電路</p><p>　　如圖2.3.1所示，電容C902、CF908為濾波，在正半周時D1、D2導通，D3、D4關斷；在負半周時D3、D4導通，D1、D2關斷。</p><p>　　2.3.2次級整流電路</p><p>　　肖特基二極管（SBD）是一種低功耗、大電流、超

34、高速半導體器件。其顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安培。肖特基二極管多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。常用在彩電的二次電源整流,高頻電源整流中。</p><p>　　圖2-3-2次級整流濾波電路</p><p>　　如圖2-3-2所示，后面

35、電容的作用有兩個，一個是儲能續(xù)流，另一個是濾波。</p><p>　　2.4 PFC功率校正電路設計</p><p>　　2.4.1 L6562引腳功能介紹</p><p>　　PFC的英文全稱為“Power Factor Correction”，意思是“功率因數(shù)校正”，是有效功率除以總耗電量(視在功率)的比值。 由于設備中有電容,電感,變壓器等器件使電壓和電流不同

36、步,這樣出現(xiàn)無功功率, 另外開關管,整流器等作用,輸出電流中有畸變,諧波含量比較大,這樣導致功率因數(shù)下降.本次設計運用模擬集成電路L6562進行功率校正，封裝如下圖：</p><p>　　圖2-4-1 L6562封裝圖</p><p>　　INV(引腳1)：誤差放大器的反向輸入端。PFC輸出電壓由分壓電阻分壓后送入該腳。 </p><p>　　COMP(引腳2)：誤

37、差放大器輸出端。補償網絡設置在 該腳與INV端之間，以完成電壓控制環(huán)路的穩(wěn)定性和保證有高的功率因數(shù)與低的諧波失真(THD)。 </p><p>　　MULT(~JI腳3)：乘法器輸入端。該腳通過分壓電阻分壓， 連接到整流器整流電壓端，提供基準的正弦電壓給電流環(huán)。 </p><p>　　Cs(引腳4)：輸入到PWM比較器。MSOFET的電流流過取樣電阻，在電阻上產生電壓降，該電壓與內部的正弦

38、電壓 形成基準信號，與乘法器比較來決定MOSFET的關閉。 </p><p>　　ZCD(引腳5)：升壓電感去磁偵測輸入端。工作在臨界傳導模式，用負極性信號的后沿來觸發(fā)MOSFET的導通。 </p><p>　　GND(引腳6)：該引腳為芯片地。</p><p>　　GD(引腳7)：柵極驅動輸出。“圖騰柱”輸出能直接驅動M0SFET或IGBT，對源極峰值推動電流是6

39、OOmA，吸收電流是800mA。 </p><p>　　Vcc(引腳8)：芯片電源。電壓供給IC內部信號與柵極驅動，供電電壓被限制在22V以下。</p><p>　　2.4.2 L6562應用電路</p><p>　　圖2-4-2 L6562應用電路圖</p><p>　　如圖2-4-2所示，APFC功率因數(shù)校正器的輸出電壓V0經電阻采樣后，

40、通過芯片腳輸入到誤差放大器E／A的反相輸入端。內部的2．5V基準電壓，由同相端輸入E／A，經E／A比較放大后，輸出至乘法器M2。由全橋整流的交流電壓被采樣電阻分壓器采樣，通過3腳輸入乘法器M1乘法器的輸出電壓則正比于M1 和M2 的乘積。外接功率MOSFET的源極串聯(lián)電阻，將漏極的升壓電感器L的峰值電流取樣，由4腳輸入電流誤差放大器，并與乘法器輸出電壓作參考。當4腳上的電壓達到門限值，也就是L中的電流達到峰值后，PWM比較器將停止驅動Q

41、的柵極，并電流達到峰值后，PWM比較器將停止驅動Q的柵極，并流下降到零之前，Q一直處于關斷狀態(tài)。在Q關斷時，電感器L中貯存的能量釋放，通過升壓二極管D貯存在輸出感器L中貯存的能量釋放，通過升壓二極管D貯存在輸出感器L中貯存的能量釋放，通過升壓二極管D貯存在輸出出PWM脈沖，驅動Q導通。在MOSFET導通時，升壓二極管D截止，輸出電容C中儲能向負載供電。</p><p>　　2.5 DC/AC逆變器拓撲</p

42、><p>　　2.5.1 LD7731引腳功能介紹</p><p>　　是電流控制模式模式的6腳PWM控制器，具有低功耗，低啟動電流的特點。</p><p>　　圖2-5-1 R7731封裝圖</p><p><b>　　GND 接地。</b></p><p>　　COMP 電壓反饋腳，通過連接一

43、個光電耦合器去關閉回路校準電壓。</p><p>　　RT 該引腳通過連接一個采樣電阻來控制開關頻率。</p><p>　　CS 電流感應腳，感應接收MOS管得電流。</p><p>　　VCC 供電電壓腳。</p><p>　　OUT 柵極驅動輸出。</p><p>　　2.5.2 R7731應用

44、電路</p><p>　　圖2.5.2 R7731實際應用電路</p><p>　　如圖2-5-2所示，R7731是個PWM脈寬調制電路，通過調節(jié)PWM波的占空比來控制MOS打開和關斷時間比以此來控制輸出電壓，RT該引腳通過連接一個采樣電阻來控制開關頻率。COMP和CS一個接收由光電耦合器反饋過來的電壓另一個接收MOS管S級反饋過來電流，R7731以這兩個值為根據調節(jié)占空比，ZDB901為

45、穩(wěn)壓二極管，給IC提供穩(wěn)定工作電壓，CB905主要是儲能，保證IC持續(xù)供電，同時也有保護作用。當OUT端輸出正脈沖時，MOS管打開瞬間，為了防止MOS管柵極電流過大，加入了一個阻值較大的電阻RB911來限制電流，可當MOS關斷時，柵極結電容需要放電，RB911延長了結電容放電的時間。我們知道開關電源效率和開關頻率成正比，延長結電容放電時間無疑會影響電源效率，所以加入低通超快恢復二極管DB903，當OUT端正脈沖結束時，二極管導通，結電容

46、迅速放電，MOS管關閉。</p><p>　　2.5.3 L6599引腳功能介紹</p><p>　　圖2.5.3 L6599封裝圖</p><p>　　CSS 軟啟動端。此腳與地（GND）間接一只電容Css，與4腳（RFmin）間接一只電阻Rss，用以確定軟啟動時的最高工作頻率。當Vcc（12腳）<UVLO（低電壓閉鎖），LINE（7腳）<1.25V

47、或>6V，DIS（8腳）>1.85V（禁止端），ISEN6 腳）>1.5V，DELAY（2 腳）>3.5V，以及當ISEN 的電壓超過0.8V 并長時間超過0.75V時，芯片關閉，電容器Css 通過芯片內部開關放電，以使再啟動過程為軟啟動。</p><p>　　DELAY 過載電流延遲關斷端。此端對地并聯(lián)接入電阻Rd和電容 Cd 各一只，設置過載電流的最長持續(xù)時間。當ISEN腳的電壓超過

48、0.8V時，芯片內部將通過150uA的恒流源向Cd充電，當充電電壓超過2.0V時，芯片輸出將被關斷，軟啟動電容Css上的電也被放掉。關斷之后，過流信號消失，芯片內部對Cd充電的3.5V電源被關斷，Cd上的電通過 Rd 放掉，至電壓低于0.3V時，軟啟動開始。這樣，在過載狀態(tài)下，芯片周而復始地工作于間歇工作狀態(tài)。（Rd應不小于2V/150uA＝13.3kΩ。Rd 越大，允許過流時間越短，關斷時間越長。）</p><p&

49、gt;　　CF 定時電容。對地間連接一只電容CF，和4腳對地的RFmin配合可設定振蕩器的開關頻率。</p><p>　　RFmin 最低振蕩頻率設置。4腳提供2V基準電壓，并且，從4腳到地接一只電阻 RFmin，用于設置最低振蕩頻率。從4腳接一只電阻RFmax，通過反饋環(huán)路控制的光耦接地，將用于調整交換器的振蕩頻率。RFmax是最高工作頻率設置電阻。4腳―1腳―GND間的RC網絡實現(xiàn)軟啟動。</p>

50、;<p>　　STBY 間歇工作模式門限（<1.25V）。5腳受反饋電壓控制，和內部的1.25V基準電壓比較，如果5腳電壓低于1.25V的基準電壓，則芯片處于靜止狀態(tài)，并且只有較小的靜態(tài)工作電流。當5腳電壓超過基準5STBY電壓50mV時，芯片重新開始工作。這個過程中，軟啟動并不起作用。當負載降到某個水平之下（輕載）時，通過RFmax和光耦（參見結構圖），這個功能使芯片實行間歇工作模式。如果5腳與4腳間沒有電路關聯(lián)

51、，則間歇工作模式不被啟用。</p><p>　　ISEN 電流檢測信號輸入端。6腳通過電阻分流器或容性的電流傳感器檢測主回路中的電流。這個輸入端沒有打算實現(xiàn)逐周控制，因此必須通過濾波獲得平均電流信息。當電壓超過 0.8V門限（有 50mV 回差，即一旦越過0.8V，而后只要不回落到0.75V以下，就仍然起作用），1腳的軟啟動電容器就被芯片內部放電，工作頻率增加以限制功率輸出。在主電路短路的情況下，這通常使得電路

52、的峰值電流幾乎恒定?？紤]到過流時間被2腳設置，如果電流繼續(xù)增大，盡管頻率增加，當電壓超過另一比較器的基準電壓（1.5V）時，驅動器將閉鎖關閉，能量損耗幾乎回到啟動之前的水平。檢測信息被閉鎖，只有當電源電壓Vcc低于UVLO時，芯片才會被重新啟動。如果這個功能不用，請將4腳接地。</p><p>　　LINE 輸入電壓檢測。此端由分壓電阻取樣交流或直流輸入電壓（在系統(tǒng)和PFC之間）進行保護。檢測電壓低于1.25V

53、 時，關閉輸出（非閉鎖）并釋放軟啟動電容器。電壓高于1.25V時重新軟啟動。這個比較LINE器具有滯后作用：如果檢測電壓低于1.25V，內部的15uA 恒流源被打開。在7腳對地間接一只電容，以消除噪聲干擾。該腳電壓被內部的6.3V齊納二極管所限，6.3V齊納二極管的導通使得芯片的輸出關斷（非閉鎖）。</p><p>　　DIS 閉鎖式驅動關閉。該腳內部連接一只比較器，當該腳電壓超過1.85V 時，芯片閉鎖式關機

54、，只有當將芯片工作電壓 Vcc降低到UVLO門限之下時，才能夠重新開始工作。如果不使用此功能，請將該引腳接地。 </p><p>　　PFC-STOP 打開 PFC（功率因數(shù)校正）控制器的控制渠道。這個引腳的開放，是為了停止PFC控制器的工作，以達到保護目的或間歇工作模式。當芯片被 DIS > 1.85V、ISEN > 1.5V、LINE > 6V 和 STBY < 1.25V關閉時，9

55、腳輸出被拉低。當 DELAY 端電壓超過2V，且沒有回復到 0.3V之下時，該端也被拉低。在UVLO（低壓閉鎖）期間，該引腳是開放的。允許此腳懸空不使用。</p><p>　　GND 芯片地?；芈冯娏鳛榈投碎T極驅動電流和芯片偏置工作電流之 和。所有相關的地都應該和這個腳連通，并且要同脈沖控制回路分開。</p><p>　　LVG 低端門極驅動輸出。該腳能夠提供 0.3

56、A 的輸出電流和 0.8A 的灌入峰值電流驅動半橋電路的低端 MOS管。UVLO期間，LVG被拉低到地電平。</p><p>　　Vcc 電源包括芯片的信號部分和低端 MOS 管的門極驅動。接一只小的濾波電容（0.1uF）有利于芯片信號電路得到一個干凈的偏置電壓。</p><p>　　N.C. 空引腳，用于高電壓隔離，增大Vcc和14腳間的間距。該腳內部沒有空引腳，用于高電壓隔離，增大V

57、cc和14腳間的間距。該腳內部沒有連接，與高壓隔離，并且使得在PCB上能夠滿足安全規(guī)程（漏電距離）的要求。</p><p>　　OUT 高端門極驅動的浮地。為高端門極驅動電流提供電流返回回路。應仔細布局以避免出現(xiàn)太大的低于地的毛刺。</p><p>　　HVG高端懸浮門極驅動輸出。該腳能夠提供0.3A的輸出電流和0.8A的灌入峰值電流驅動半橋電路的上端MOS管。有一只電阻通過芯片內部連接

58、到14腳（OUT）以確保在 UVLO期間不懸浮驅動。</p><p>　　VBOOT 高端門極驅動浮動電源。在16腳（Vboot）與14腳（OUT）間連接一只自舉電容，被芯片內部的一個自舉二極管與低端門極驅動器同步驅動。 2.5.4 L6599應用電路</p><p>　　圖2-5-4 L6562應用電路</p><p>　　如圖2-5-4所示，L6599是一個用

59、于諧振半橋拓撲電路的精確的雙端控制器。它提供50%占空比：在同一時間高端和低端180°反相。輸出電壓的調整是通過調整工作頻率來實現(xiàn)。在高低端開關管的開關之間插入一個固定的死區(qū)時間來保證軟開關的實現(xiàn)和能夠工作于高頻開關狀態(tài)。 </p><p>　　用自舉方法驅動高端開關，IC整合了一個能夠承受600V以上電壓的高壓浮動結構和一個同步驅動式高壓橫向雙擴散金屬氧化物半導體(DMOS)器件，節(jié)省了一個外部快速恢

60、復自舉二極管。集成電路使設計師通過一個外部可設定的振蕩器來設置轉換器的工作頻率范圍。 </p><p>　　啟動時，為防止開機涌流，開關頻率從一個可設定的啟動極限頻率逐步降低，直到控制回路達到穩(wěn)定值為止。這個頻率變化是非線性的，它將輸出電壓過調降到最低限度；啟動過程的時間可以設定。 </p><p>　　在輕載狀態(tài)下，集成電路可以被迫進入一個間歇脈沖工作模式，以便維持轉換器的輸入能量到一個

61、最小值。 </p><p>　　集成電路的功能包括非閉鎖的低門限輸入使用電流延遲作用或高門限的過流保護，當電流檢測輸入時，具有變頻和延遲關閉自動重啟兩種方式。 </p><p>　　如果第一級的保護不足以控制住主回路電流，高電平過流保護將閉鎖集成電路。它們的組合提供完全的過載和短路保護。另外還有閉鎖的過溫和過壓保護也很容易實現(xiàn)。 </p><p>　　一個與PFC控

62、制器的接口，可以在條件發(fā)生時，例如過流保護停機和閉鎖式停機，或者在間歇脈沖工作狀態(tài)，關掉PFC。</p><p>　　2.6 次級三端穩(wěn)壓電路</p><p>　　TL431是一個有良好的熱穩(wěn)定性能的三端可調分流基準源。他的輸出電壓用兩個電阻就可以任意的設置到從Verf（2.5V）到36V范圍內的任何值。該器件的典型動態(tài)阻抗為0.2Ω，在很多應用中用它代替齊納二極管對電源末端進行穩(wěn)壓。如圖

63、2-6-1所示，R29為保護電阻，R31兩端電壓為2.5V，則只需調整R30的電阻即可調整輸出端對地的電壓，U=2.5*(1+R30/R31)。</p><p>　　圖2-6-1三段穩(wěn)壓電路</p><p>　　2.7 反饋組電路設計</p><p>　　本次設計的開關電源，隔離技術和抗干擾技術是至關重要的，光耦合器（optical coupler）英文縮寫為OC）

64、亦稱光電隔離器或光電耦合器，簡稱光耦。它是以光為媒介來傳輸電信號的器件，通常把發(fā)光器（紅外線發(fā)光二極管LED）與受光器（光敏半導體管）封裝在同一管殼內。當輸入端加電信號時發(fā)光器發(fā)出光線，受光器接受光線之后就產生光電流，從輸出端流出，從而實現(xiàn)了“電—光—電”轉換。通常的光電耦合器由于它的非線性，因此在模擬電路中的應用只限于對較高頻率的小信號的隔離傳送。普通光耦合器只能傳輸數(shù)字（開關）信號，不適合傳輸模擬信號。近年來問世的線性光耦合器能夠傳

65、輸連續(xù)變化的模擬電壓或模擬電流信號，使其應用領域大為拓寬。</p><p>　　圖2-7-1 反饋電路</p><p>　　光耦合器的技術參數(shù)主要有發(fā)光二極管正向壓降VF、正向電流IF、電流傳輸比CTR、輸入級與輸出級之間的絕緣電阻、集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓V(BR)CEO、集電極-發(fā)射極飽和壓降VCE(sat)。此外，在傳輸數(shù)字信號時還需考慮上升時間、下降時間、延遲時間和存儲時間等參數(shù)

66、。如圖2-7-1所示，光電耦合器采集的是RW960的電壓，也就是輸出電壓。</p><p><b>　　參考文獻</b></p><p>　　[1] 張?zhí)旆?  開關電源電磁兼容(EMC)的研究[J]. 職業(yè), 2007，(10):103</p><p>　　[2] 黎粵梅.  高頻開關電源節(jié)能技術的探索

67、[J]. 科技資訊,2011，(17):115-116</p><p>　　[3] 茹東生,姜茂仁,李洪烈.  開關電源抑制傳導性電磁干擾的設計與仿真[J]. 中國測試技術, 2005，(04):44-46</p><p>　　[4] 宋福根.  高頻開關電源有源EMI濾波器應用研究[J]. 電工電氣,2009，(04):31-33</p>

68、;<p>　　[5] 宋軍軍.  高頻開關電源開關損耗的成因及改進方法[J]. 電信科學, 1998，(12):43-44</p><p>　　[6] 孫慧賢,王群.  開關電源電磁干擾的抑制措施[J]. 低壓電器, 2005，(08):54-56</p><p>　　[7] 謝仁踐,張波.  小功率、高效率、高頻D

69、C-DC開關電源的研制[J]. 電子元器件應用, 2001，(08)：39-42</p><p>　　[8] 李志遠.  變電所直流系統(tǒng)采用高頻開關電源的探討[J]. 山西焦煤科技,2003，(03)：4-5</p><p>　　[9] 姚偉,張娟.  基于抑制瞬流的節(jié)能技術[J]. 科技情報開發(fā)與經濟, 2008，(30):217-218</