各類存儲(chǔ)器介紹

1、ROM是只讀內(nèi)存（ReadOnlyMemy）的簡(jiǎn)稱，是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。其特性是一旦儲(chǔ)存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經(jīng)常變更資料的電子或電腦系統(tǒng)中，資料并且不會(huì)因?yàn)殡娫搓P(guān)閉而消失。簡(jiǎn)介簡(jiǎn)介英文簡(jiǎn)稱ROM。ROM所存數(shù)據(jù)，一般是裝入整機(jī)前事先寫好的，整機(jī)工作過程中只能讀出，而不像隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM那樣能快速地、方便地加以改寫。ROM所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定，斷電后所存數(shù)據(jù)也不會(huì)改變；其結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，讀出較方便，因而常

2、用于存儲(chǔ)各種固定程序和數(shù)據(jù)。除少數(shù)品種的只讀存儲(chǔ)器（如字符發(fā)生器）可以通用之外，不同用戶所需只讀存儲(chǔ)器的內(nèi)容不同。為便于使用和大批量生產(chǎn)，進(jìn)一步發(fā)展了可編程只讀存儲(chǔ)器（PROM）、可擦可編程序只讀存儲(chǔ)器（EPROM）和電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）。例如早期的個(gè)人電腦如AppleII或IBMPCXTAT的開機(jī)程序（操作系統(tǒng)）或是其他各種微電腦系統(tǒng)中的韌體（Firmware）。EPROM需用紫外光長(zhǎng)時(shí)間照射才能擦除，使用很不方便。

3、20世紀(jì)80年代制出的EEPROM，克服了EPROM的不足，但集成度不高，價(jià)格較貴。于是又開發(fā)出一種新型的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)同EPROM相似的快閃存儲(chǔ)器NNFlash。其集成度高、功耗低、體積小，又能在線快速擦除，因而獲得飛速發(fā)展，并有可能取代現(xiàn)行的硬盤和軟盤而成為主要的大容量存儲(chǔ)媒體。大部分只讀存儲(chǔ)器用金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）場(chǎng)效應(yīng)管制成。ROMROM種類種類1.ROM1.ROM只讀內(nèi)存（ReadOnlyMemy）是一種只能讀取資料的內(nèi)存

4、。在制造過程中，將資料以一特制光罩（mask）燒錄于線路中，其資料內(nèi)容在寫入后就不能更改，所以有時(shí)又稱為“光罩式只讀內(nèi)存”（maskROM）。此內(nèi)存的制造成本較低，常用于電腦中的開機(jī)啟動(dòng)。2.PROM2.PROM可編程程序只讀內(nèi)存（ProgrammableROM，PROM）之內(nèi)部有行列式的镕絲，是需要利用電流將其燒斷，寫入所需的資料，但僅能寫錄一次。PROM在出廠時(shí)，存儲(chǔ)的內(nèi)容全為1，用戶可以根據(jù)需要將其中的某些單元寫入數(shù)據(jù)0(部分的P

5、ROM在出廠時(shí)數(shù)據(jù)全為0，則用戶可以將其中的部分單元寫入1)，以實(shí)現(xiàn)對(duì)其“編程”的目的。PROM的典型產(chǎn)品是“雙極性熔絲結(jié)構(gòu)”，如果我們想改寫某些單元，則可以給這些單元通以足夠大的電流，并維持一定的時(shí)間，原先的熔絲即可熔斷，這樣就達(dá)到了改寫某些位的效果。另外一類經(jīng)典的PROM為使用“肖特基二極管”的PROM，出廠時(shí)，其中的二極管處于反向截止?fàn)顟B(tài)，還是用大電流的方法將反相電壓加在“肖特基二極管”，造成其永久性擊穿即可。3.EPROM3.E

6、PROM可抹除可編程只讀內(nèi)存（ErasableProgrammableReadOnlyMemy，EPROM）可利用高電壓將資料編程寫入，抹除時(shí)將線路曝光于紫外線下，易失性易失性當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)RAM不能保留數(shù)據(jù)。如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器一個(gè)長(zhǎng)期的存儲(chǔ)設(shè)備中（例如硬盤）。RAM和ROM相比，兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)消失，而ROM不會(huì)。高訪問速度高訪問速度現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器幾乎是所有訪

7、問設(shè)備中寫入和讀取速度最快的，取存延遲也和其他涉及機(jī)械運(yùn)作的存儲(chǔ)設(shè)備相比，也顯得微不足道。需要刷新需要刷新現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器依賴電容器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1(二進(jìn)制)，未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數(shù)據(jù)會(huì)漸漸隨時(shí)間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態(tài)，然后按照原來的狀態(tài)重新為電容器充電，彌補(bǔ)流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的易失性。對(duì)靜電敏感對(duì)靜電敏感正如其他精細(xì)的集成電路，隨機(jī)存

8、取存儲(chǔ)器對(duì)環(huán)境的靜電荷非常敏感。靜電會(huì)干擾存儲(chǔ)器內(nèi)電容器的電荷，引致數(shù)據(jù)流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機(jī)存取存儲(chǔ)器前，應(yīng)先用手觸摸金屬接地。1靜態(tài)存儲(chǔ)單元（靜態(tài)存儲(chǔ)單元（SRAM）●存儲(chǔ)原理：由觸發(fā)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)●單元結(jié)構(gòu)：六管NMOS或OS構(gòu)成●優(yōu)點(diǎn)：速度快、使用簡(jiǎn)單、不需刷新、靜態(tài)功耗極低；常用作Cache●缺點(diǎn)：元件數(shù)多、集成度低、運(yùn)行功耗大●常用的SRAM集成芯片：6116(2K8位)，6264(8K8位)，62256(32K8位)