雙極型微晶管設計課程設計任務書微電子專業(yè)

1、廣東工業(yè)大學課程設計任務書廣東工業(yè)大學課程設計任務書題目名稱pnp雙極型晶體管的設計學生學院材料與能源學院專業(yè)班級微電子專業(yè)09級1班姓名學號一、課程設計的內(nèi)容一、課程設計的內(nèi)容設計一個均勻摻雜的pnp型硅雙極晶體管，滿足T=300K時，基區(qū)摻雜濃度為NB=1016cm3`共發(fā)射極電流增益β=50V。BVCEO=60V，設計時應盡量減小基區(qū)寬度調制效應的影響，假設經(jīng)驗參數(shù)為年n=3)二、課程設計的要求與數(shù)據(jù)二、課程設計的要求與數(shù)據(jù)1了解

2、晶體管設計的一般步驟和設計原則2根據(jù)設計指標設計材料參數(shù)，包括發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)摻雜濃度NENB和NC根據(jù)各區(qū)的摻雜濃度確定少子的擴散系數(shù)，遷移率，擴散長度和壽命等。3根據(jù)主要參數(shù)的設計指標確定器件的縱向結構參數(shù)，包括集電區(qū)厚度Wc，基本寬度Wb，發(fā)射區(qū)寬度We和擴散結深Xjc發(fā)射結結深Xje等。4根據(jù)擴散結深Xjc發(fā)射結結深Xje等確定基區(qū)和發(fā)射區(qū)預擴散和再擴散的擴散溫度和擴散時間；由擴散時間確定氧化層的氧化溫度、氧化厚度和氧化時間

3、。5根據(jù)設計指標確定器件的圖形結構，設計器件的圖形尺寸，繪制出基區(qū)、發(fā)射區(qū)和金屬接觸孔的光刻版圖。6.根據(jù)現(xiàn)有工藝條件，制定詳細的工藝實施方案。7撰寫設計報告三、課程設計應完成的工作三、課程設計應完成的工作1.材料參數(shù)設計2.晶體管縱向結構設計主管院長簽章：主管院長簽章：廣東工業(yè)大學課程設計任務書廣東工業(yè)大學課程設計任務書題目名稱npn雙極型晶體管的設計學生學院材料與能源學院專業(yè)班級微電子專業(yè)09級2班姓名學號一、課程設計的內(nèi)容一、課程

4、設計的內(nèi)容設計一個均勻摻雜的npn型雙極晶體管，滿足T=300K時，共基極電流增益?=0.9920，BVCBO=90VNB=1017cm3。設計時應盡量減小基區(qū)寬度調制效應的影響，假設經(jīng)驗參數(shù)為年n=3)二、課程設計的要求與數(shù)據(jù)二、課程設計的要求與數(shù)據(jù)1了解晶體管設計的一般步驟和設計原則2根據(jù)設計指標設計材料參數(shù)，包括發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)摻雜濃度NENB和NC根據(jù)各區(qū)的摻雜濃度確定少子的擴散系數(shù)，遷移率，擴散長度和壽命等。3根據(jù)主要參數(shù)

5、的設計指標確定器件的縱向結構參數(shù)，包括集電區(qū)厚度Wc，基本寬度Wb，發(fā)射區(qū)寬度We和擴散結深Xjc發(fā)射結結深Xje等。4根據(jù)擴散結深Xjc發(fā)射結結深Xje等確定基區(qū)和發(fā)射區(qū)預擴散和再擴散的擴散溫度和擴散時間；由擴散時間確定氧化層的氧化溫度、氧化厚度和氧化時間。5根據(jù)設計指標確定器件的圖形結構，設計器件的圖形尺寸，繪制出基區(qū)、發(fā)射區(qū)和金屬接觸孔的光刻版圖。6.根據(jù)現(xiàn)有工藝條件，制定詳細的工藝實施方案。7撰寫設計報告三、課程設計應完成的工作