65nm NOR型閃存芯片RTS噪聲研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、大數據時代的到來對大容量存儲器帶來了新的機遇，同時也提出了新的挑戰(zhàn)。浮柵存儲器是目前應用最為廣泛的非易失性存儲器之一，占據了非易失性半導體存儲器90％以上的市場。研究表明存儲器尺寸的減小與工藝的改進會帶來器件可靠性問題，這其中隨機電報信號（RTS）的噪聲問題由于器件工藝進入納米時代而更為突出，噪聲會帶來信號的抖動，從而會影響信息讀取的正確性，甚至會引起芯片功能與性能上的失效。
　　本論文針對65nm工藝下NOR型閃存的隨機電報噪聲

2、及其對于器件的可靠性影響展開研究。主要研究內容包括：獲取了NOR型閃存隨機電報噪聲的基本參數；通過隨機電報噪聲分析得到了RTS缺陷空間與能級分布；基于俘獲/發(fā)射截面模型研究了不同的閾值電壓狀態(tài)對于RTS時間常數的影響。通過大量實驗，得到結論：隨著閾值電壓的增加，器件RTS噪聲的俘獲時間增加，發(fā)射時間減??；針對該現(xiàn)象，提出了俘獲/發(fā)射截面模型加以解釋。該工作主要創(chuàng)新點在于：首次研究了閾值電壓對于RTS信號以及相應的RTS缺陷的影響，并建立

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