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文檔簡介
1、作為一種典型的Ⅱ-Ⅵ族半導體材料,CdTe納米團簇由于其性質的可調性引起了廣泛的關注,尤其是摻雜納米團簇。本文利用密度泛函理論(DFT)對(CdTe)16×N(N=1-3)納米鏈、Ag摻雜(CdTe)16×N(N=1-2)納米鏈以及Ag摻雜的(CdTe)34殼核納米團簇進行了研究。首先,對(CdTe)16×N(N=1-3)納米鏈進行了計算分析,研究結果表明,納米鏈的結構穩(wěn)定性高于組成鏈的單個籠狀團簇,且鏈接個數和連接方式是影響團簇穩(wěn)定性
2、的兩個重要原因。此外,納米鏈團簇的能帶隙值較單個(CdTe)16團簇能帶隙窄,呈現典型的量子點特性。在(CdTe)16×N(N=1-2)納米團簇鏈的基礎上,我們進一步研究了Ag替代摻雜納米鏈的性質及其與Ag摻雜位的關系。研究顯示,摻雜位對結合能、能帶隙和態(tài)密度有著直接的影響。Ag摻雜在能帶結構上顯示能帶隙中引入了一新的淺能級,受主能級。Ag原子以及Ag原子近鄰的三個Te原子對該能級有明顯的貢獻,且三個Te原子中距離Ag原子最遠的Te原子
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