納米晶氮化碳薄膜制備的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、本文主要論述了采用弧光放電(ArcDischarge)和直流空心陰極放電(DCHollowCathodeDischarge)兩種方法來(lái)制備納米陶瓷氮化碳薄膜。其中重點(diǎn)研究的直流空心陰極等離子體放電方法是一種新的制備納米氮化碳薄膜的方法。另外，作為早期的附加工作，還對(duì)不同放電方式的等離子體發(fā)射光譜進(jìn)行了研究，其中包括介質(zhì)阻擋放電(DBD)、空心陰極放電(HCD)和彭寧放電(PD)三種放電方式?！　≡谘芯砍跗谑紫炔捎玫氖腔」獾入x子體放電裝

2、置，利用這種方法成功制備出了氮碳薄膜，但所制備的膜的均勻性較差，主要是由于弧光等離子體電流密度過(guò)大、濺射強(qiáng)烈，容易形成大顆粒的碳團(tuán)簇，由此造成膜的致密性差?；诖嗽?，又自行設(shè)計(jì)并搭建了一種新的等離子體放電裝置——直流空心陰極等離子體放電裝置。通過(guò)對(duì)直流空心陰極放電過(guò)程的研究，證明其是一種介于正常輝光放電與反常輝光放電之間的一種特殊的輝光放電形式。它具有工作氣壓高，維持電壓低，陰極濺射率高等特點(diǎn)。通過(guò)測(cè)試工作氣體壓強(qiáng)對(duì)放電的影響，得到了

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