已閱讀1頁，還剩54頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀
版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權，請進行舉報或認領
文檔簡介
1、四川大學碩士學位論文SiO6HSiC界面特性及其氧化層缺陷研究姓名：劉洪軍申請學位級別：碩士專業(yè)：凝聚態(tài)物理指導教師：伍登學20030520四川大學碩士學位論文漂移情況，實驗發(fā)現(xiàn)經(jīng)過N2退火后，表面Si02的llOOcml附近的特征反射峰位向高頻方向移動，并且在l100C左右退火時，這種漂移最明顯。根據(jù)現(xiàn)有數(shù)據(jù)認為退火過后氧化層的密度變小，可能是氧化層內(nèi)部間隙式雜質(zhì)擴散出來的結果。關鍵詞：SiO：／6H—SiC，高頻C—V，界面態(tài)特性，
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- SiO-,2--4H-SiC（0001）界面缺陷的XPS研究.pdf
- 6H-SiC表面熱氧化生長的SiO-,2-特性研究.pdf
- 4H-SiC-SiO2界面特性與氧化工藝研究.pdf
- SiO2-SiC界面特性研究.pdf
- SiC熱氧化SiO-,2-層結構的光譜學表征.pdf
- SiO-,2--SiC界面氮氫等離子體處理及電學特性研究.pdf
- 富nc-SiC的SiO-,2-薄膜制備及其發(fā)光特性的研究.pdf
- 空氣—水界面SiO-,2-、SiO-,2--TiO-,2-納米薄膜的研究.pdf
- SiO-,2--SiC界面質(zhì)量對n溝SiCMOSFET器件性能影響的研究.pdf
- 超低介電常數(shù)材料納米多孔SiO-,2-和SiO-,2-：F薄膜的制備及其特性研究.pdf
- SiC-SiO2界面形成機理及界面缺陷的第一性原理研究.pdf
- 納米SiC薄膜的發(fā)光與多孔SiO-,2-：F薄膜介電特性研究.pdf
- La2O3-SiO2-4H-SiC堆垛柵MOS電容特性研究.pdf
- N摻雜對6H-SiC氧化速率特性的影響.pdf
- 中子輻照6H-SiC的缺陷回復及其拉曼光譜研究.pdf
- Si基SiC薄膜和低維SiO-,2-的生長及其光致發(fā)光機理研究.pdf
- 退火條件對4H-SiC-SiO2 MOS電容特性的影響研究.pdf
- P型雜質(zhì)Ga在SiO-,2--Si內(nèi)界面的分凝特性研究與探討.pdf
- 納米SiO-,2--聚丙烯復合材料雙重界面作用研究.pdf
- SiO2-SiC界面過渡區(qū)及其等離子體鈍化工藝研究.pdf
評論
0/150
提交評論