摻N的4H-SiC第一性原理研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文采用密度泛函理論的廣義梯度近似方法對摻N的4H-SiC若干屬性進行了第一性原理研究。主要計算并分析了摻N對于4H-SiC在形成能、能帶結構、態(tài)密度、光學性質等方面造成的影響。
　　 計算結果表明,N在4H-SiC中c位替換形成能比h位替換的略小,說明c位替換在4H-SiC中濃度比h位替換略高,但差距不大。同時對不同實驗條件下的形成能研究表明,在富Si實驗條件下的N雜質濃度高于富C實驗條件下的雜質濃度。
　　 通過能帶

2、結構和態(tài)密度的研究表明,N雜質在4H-SiC中是一個淺的施主能級,摻雜將導致4H-SiC禁帶寬度變小,這主要是由于導帶往價帶方向移動造成的。對于禁帶寬度變化因為筆者研究重疊布居數后認為是N—Si鍵強度不如C-Si鍵強導致電子云重疊減弱造成的。
　　 4H-SiC是一種重要的極具潛力的光電材料,因此我們還研究了他的光學特性。研究表明摻N將導致4H-SiC不管在平行于c軸還是垂直于c軸方向都會出現吸收峰,不同的是在垂直于c軸僅有一個

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