電荷泵浦的測量方法和遂穿晶體管的可靠性模擬.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、半導體器件模擬工具通過數(shù)值計算，讓我們以虛擬的方式考察半導體器件內部的工作和物理過程，從而幫助我們分析和理解器件的工作原理和特性，探索器件性能的改進方法。本論文應用技術計算機輔助設計(TCAD)工具，模擬金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的可靠性和相關測試方法。
　　首先，我們介紹了TCAD常用器件模擬工具ATLAS和Medici的使用方法。通過模擬傳統(tǒng)MOSFET的電流電壓特性，我們詳細解釋了模擬輸入文件中的具體指令。

2、然后，我們使用TCAD工具和Matlab軟件對電荷泵浦(CP)測量方法進行了模擬，并提出了一個圖解方法來解釋MOSFET的CP測量過程和結果。結合模擬結果，我們把測量中的主要物理過程表示在一幅圖中，同時也用模擬結果和圖解表示解釋了用于可靠性研究的改進的CP測量方法。最后，我們用TCAD工具模擬了隧穿晶體管(TFET)的特性，考察了TFET器件的可靠性并與傳統(tǒng)MOSFET做了比較。我們發(fā)現(xiàn)，TFET的驅動電流Id的退化主要受到隧穿結附近～

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