存儲(chǔ)器測(cè)試算法與實(shí)現(xiàn).pdf_第1頁(yè)
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1、存儲(chǔ)器由于其應(yīng)用廣，產(chǎn)量大，成為了半導(dǎo)體行業(yè)的支柱。近年來(lái)，存儲(chǔ)器芯片容量增大，單元密度增加，制造工藝越來(lái)越復(fù)雜，造成生產(chǎn)出的產(chǎn)品良率明顯下降，因此必須采用新的故障模型和故障測(cè)試算法。
　　 本文研究了存儲(chǔ)器的測(cè)試技術(shù)和故障模型，并分析了5種常規(guī)測(cè)試算法，即全“O”全“l(fā)”法、棋盤(pán)算法、March算法、蝶形算法和奔跳算法。本文在深入研究著幾種常規(guī)算法的基礎(chǔ)上，提出了一種改進(jìn)型March算法，基于棋盤(pán)格式對(duì)March算法進(jìn)行改進(jìn)。

2、即每一個(gè)單元與其緊相鄰的各個(gè)單元的值都不同，使得它們之間存在較大的電勢(shì)差，容易產(chǎn)生互相影響。此算法能檢測(cè)固定故障SAF、地址解碼故障AF、轉(zhuǎn)換故障TF和相鄰圖形敏感故障NPSF這四種類(lèi)型的故障。在測(cè)試復(fù)雜度上，相對(duì)于基本March算法，此種改進(jìn)型March算法沒(méi)有增加額外的測(cè)試時(shí)間。
　　 本文使用ATL機(jī)器語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)該算法。以DDR存儲(chǔ)器為測(cè)試實(shí)例，使用一臺(tái)Advantest T5571測(cè)試機(jī)和一片12英寸直徑的512M DDR

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